碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望.pdfVIP

第46卷，第1期红外1

文章编号：1672-8785(2025)01-0001-15

碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望

管崇尚邢伟荣周睿李震

姜梦佳王丹折伟林

（中国电子科技集团公司第十一研究所，北京100015）

摘要：通过对现有的几类主流碲镉汞（HgCdTe）雪崩光电二极管（Avalanche

Photodiode，APD)器件进行梳理，简要总结了目前国际上主流的APD器件发展

路线，并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管（High-DensityVertically

IntegratedPhotodiode，HDVIP)和吸收-倍增分离(SeparatedAbsorptionandMulti-

plication，SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同

技术路线的器件优化思路和性能特点，对相关器件的持续发展进行了展望。目

前SAM型器件是主流APD器件中暗电流抑制和高温工作性能最好的结构，能

够实现高增益条件下的高灵敏度探测。这也为相关器件工艺的发展开辟了新方

向。

关键词：碲镉汞；雪崩；增益；噪声

中图分类号：TN315文献标志码：ADOI:10.3969/j.issn.1672-8785.2025.01.001

DevelopmentandProspectforHgCdTe

AvalanchePhotoelectricDetectors

GUANChong-shang,XINGWei-rong,ZHOURui,LIZhen,

JIANGMeng-jia,WANGDan,SHEWei-lin

(ThellthResearchInstituteofChinaElectronicsTechnologyGroupCorporation,Beijing100015,China)

Abstract:Bycombiningtheexistingmaintypesofmercurycadmiumtelluride(HgCdTe)avalanchephotodi-

ode(APD)devices,thecurrentmainstreamAPDdevicedevelopmentrouteintheworldisbrieflysummarized,

andthestructuresandperformancecharacteristicsofmajorAPDdevices,includingPIN,high-densityvertical-

lyintegratedphotodiode(HDVIP)andseparatedabsorptionandmultiplication(SAM)devices,areanalyzed.

Bycomparingthedeviceoptimizationideasandperformancecharacteristicsofdifferenttechnicalroutes,the

sustainabledevelopmentofrelateddevicesisprospected.Atpresent,theSAMdevicesarethestructureswith

thebestdarkcurrentsuppressionandhigh-temperatureoperationperformanceamongmainstreamAPDde-

vices