极端低温环境下SOI器件与电路特性的深度剖析与研究.docx

极端低温环境下SOI器件与电路特性的深度剖析与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，半导体器件和电路在各个领域得到了广泛应用，从日常的消费电子设备到高端的航空航天、医疗设备、通信系统以及量子计算等领域，都离不开半导体技术的支持。在众多半导体技术中，绝缘体上硅（Silicon-On-Insulator，SOI）技术凭借其独特的结构和性能优势，成为了研究的热点之一。

SOI技术是在顶层硅和背衬底之间引入一层埋氧化层，形成具有“Si/绝缘层/Si”三层结构的新型硅基半导体材料。这种结构使得SOI器件相较于传统体硅器件具有诸多显著优势，如能排除或减轻体硅