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发光材料与器件基础文档ppt;*;*;*;*;*;*;我们先讨论纯净物质对光的吸收。
但在激发态，由于离子松弛（即位形改变），电子以热能形式散射一部分能量返到新激发态能级C形成新的活性中心。
量子效率发射物质辐射的量子数N发光与激发光源输入的量子数N吸收（如果是光致发光则是光子数；
Sb3+4d105s24d105s5p
在图中，基态和激发态的势能曲线交叉于E点。
同样，p型半导体价带中有空穴，但其导带中却没有电子，因此也不会发光。
C→V过程在高温下发生的电子由价带向导带的跃迁。
3固体的发光和发光材料
14可以解释这一现象。
C→A过程本征半导体导带中的一个电子落在受主杂质原子上，并使受主杂质原子电离化，这个过程的能量为Eg—EA。
（b）敏活剂和激活剂离子与基质的晶体结构是相近的。
例如，对可见光敏感的CdS用于照相机的自动曝光机规定曝光时间的自动装置，半导体硒应用在静电复印机上；
具有非辐射跃迁的离子有Fe3+、Co2+、Ni2+等，因而在制备磷光材料中应当杜绝这些杂质的存在。
1%的Cr3+时，晶体呈粉红色，掺入1%的Cr3+时，晶体呈深红色，此即红宝石，可以吸收可见光，并发出荧光。
D→A过程如果同一半导体材料中，施主和受主杂质同时存在，那么可能发生中性施主杂质给出一个电子跃迁到受主杂质上的过程，这就是D→A过程.
Q=ax+by+cz5.
反斯托克（nati-stokes）磷光体
如系电子发光，则是电子数。;*;*;*;*;*;*;*;*;C→A过程本征半导体导带中的一个电子落在受主杂质原子上，并使受主杂质原子电离化，这个过程的能量为Eg—EA。
自由离子的吸收光谱与发射光谱的能量相同，并且都是窄带谱或锐线谱（0.
吸收光谱是材料激发时所对应的光谱，相应吸收峰的波长就是激发时能量对应波长，如图5.
显然，E点的能量是临界的。
一般说来，发光固体吸收了激活辐射的能量hν，发射出能量为hν’的光，而ν’总小于ν，即发射光波长比激活光的波长要增大λ’λ。
应用之三：解释非辐射跃迁
价带中的电子吸收一定波长的可见光或近红外光可以相互脱离而自行漂移，并参与导电，即产生所谓光导电现象。
所谓位形坐标图，就是用纵坐标表示晶体中发光中心的势能，其中包括电子和离子的势能以及相互作用在内的整个体系的能量；
光辐射有平衡辐射和非平衡辐射两大类，即热辐射和发光。
例如，Al2O3晶体中Al3+和O2-离子以静电引力作用，按照六方密堆方式结合在一起，Al3+和O2-离子的基态能级为填满电子的的封闭电子壳层，其能隙为9ev，它不可能吸收可见光，所以是透明的。
1592ev，许多杂质的ED为0.
Ag+4d95p
激活过程包括电子从基态能级A跃迁到激发态的较高能级B产生一个活性中心。
3固体的发光和发光材料
用氯离子部分取代氟磷灰石中氟离子，可以改变发射光谱的波长分布。
发射光谱反映发光材料辐射光的情况，对应谱峰的波长就是发光的颜色，，一般说来其波长大于吸收光谱的波长，如图5.
固体的光性质，从本质上讲，就是固体和电磁波的相互作用，这涉及晶体对光辐射的反射和吸收，晶体在光作用下的发光，光在晶体中的传播和作用以及光电作用、光磁作用等。;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;感谢观看
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