系统解决方案：“用于工业电机驱动的SiC逆变器”.docx

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系统解决方案：“用于工业电机驱动的SiC逆变器”

这导致对系统和组件级别的设计要求更加苛刻，并终影响功率器件、无源组件、冷却技术和PCB的整体一致性。

为了实现所需的增强系统性能，半导体器件必须应对更高的功率密度、更高的效率和可靠性。因此，碳化硅(SiC)近年来引起了越来越多的关注，因为它在耐温性和性能方面树立了新标准，从而改善了开关电压和频率、开关损耗和尺寸，并且在某些应用中导致降低系统总成本。

与硅(Si)相比，SiC的电击穿电场几乎高出十倍（2.8MV/cm与0.3MV/cm）。极硬基材的较高介电场强度可实现更薄的层结构并降低表面电阻。与高载流子迁移率相结合，可以产生更短的开关时间，