东大考研材料科学基础答案.pdfVIP

2007年《材料科学基础》参考答案

一、

1.以一种金属元素作为溶剂，另一种或一种以上的元素作为溶质而形成的固体称为固溶体。

2.把原子(或离子、分子)抽象成结点，结点在空间规则周期的分布，这些点的总体称为空

间点阵或点阵。

3.当位错时，区必须要通过一系列的能峰和能谷，位错线越过能峰时所需克服的

阻力就是位错的晶格摩擦力，也称为P—N力。

4.一个全位错分解为2个Shockley不全位错，这样的2个Shockley位错一起被称为扩展

位错。

5.同一物质的不同的晶体结构称为同素异形体。每一种同素异形体都是一个相，它们之间

在一定条件下也将发生相互转变，称同素异形转变。

−−

二、由三个晶面构成的行列式=0说明三个晶面属于同一晶带；晶带轴指数[121]由两个晶面

即可确定。

三、在0K时．自由电子系统每个电子的平均能量(平均动能)为

由上式可知，在0K时电子仍有相当大的平均动能，

这是由于电子必须满足泡利不相容原理的缘故。考虑金属的能为几个到十几个电子伏

6m/s。

特，计算表明，0K时自由电子的平均速度数量级高达10

四、奥氏体中析出渗碳体、铁素体、珠光体。

五、金属材料中存在有固溶原子时，固溶原子必然会引起周围晶格的畸变，在其周围产生一

个应力场，由于固溶原子应力场与位错应力场相互作用的结果，溶质原子具有向位错偏聚而

形成一个原子气团的倾向。这时，位错的要么摆脱这种原子气团，要么施带着原子气团

一起。摆脱原子气团需增加一部分外力以克服它与位错间的相互吸引，如果施带原子气

团一齐，外力也需增加一个附加量。所以，当位错上有原子偏聚时，位错的难度提

高，金属得到强化。

2

六、（1）D0=Dexp(Q/RT)=4435.67m/s

（2）固溶体类型、晶体结构类型、晶体、化学成分等。

七、回复是通过位错造成材料中储能的减低。位错所实现的有2个主要过程，这就

是位错的相消与重排。2个过程的实现，有赖于位错滑动，攀移和交滑移。回复的过程可归

结为三种主要机制：A亚晶规整化B多边化C亚晶的合并--亚晶结构合并是相邻亚晶通

过转动而重合的过程，亚晶合并的另一种机制可以通过低角度界面的迁移来进行，最小的亚

晶，而较大的则生长，这类似于晶粒长大。

八、

Ko=5.65/33=0.17121

界面处液相成分CL=Co/Ko=0.5%*33/0.65=25.38%

由T=Tm-mCo/Ko得m=（660-546）/

bLL25.38%=449.17

-9-6-3

特征距离=D/R=3*10/5*10=0.6*10m

L