STMicroelectronics 系列：STM32L1 系列_（19）.STM32L1系列设计指南.docxVIP

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STM32L1系列设计指南

1.引言

在上一节中，我们介绍了STM32L1系列的基本特点和应用场景。本节将详细探讨STM32L1系列的设计原则和方法，帮助开发者更好地理解和应用这一系列单片机。

2.系统架构

2.1核心处理器

STM32L1系列基于ARMCortex-M3内核，提供了高性能和低功耗的处理能力。Cortex-M3内核支持Thumb-2指令集，具有以下特点：

高性能：最高可达72MHz的工作频率。

低功耗：多种低功耗模式，如睡眠模式、停止模式和待机模式。

丰富的外设：包括多种通信接口（如UART、I2C、SPI）、定时器、ADC、DAC等。

2.2内存架构

STM32L1系列的内存架构包括以下部分：

闪存（FlashMemory）：用于存储程序代码，容量从16KB到512KB不等。

SRAM：用于存储运行时数据，容量从4KB到80KB不等。

系统内存：包含启动代码和一些系统配置。

2.2.1闪存编程

闪存编程是STM32L1系列开发中的一项重要任务。下面是一个简单的示例，展示如何使用STM32CubeMX和HAL库进行闪存编程。

#includestm32l1xx_hal.h

//初始化HAL库

voidHAL_Init(void)

{

//初始化时钟

HAL_InitTick(1000);

//初始化NVIC

HAL_NVIC_SetPriorityGrouping(NVIC_PRIORITYGROUP_4);

}

//闪存编程函数

voidFlash_Write(uint32_taddress,uint32_tdata)

{

//解锁闪存

HAL_FLASH_Unlock();

//闪存编程参数初始化

FLASH_EraseInitTypeDefEraseInitStruct;

uint32_tPageError=0;

//设置要擦除的扇区

EraseInitStruct.TypeErase=TYPEERASE_PAGES;

EraseInitStruct.PageAddress=address(uint32_t)0xFFFFF800;

EraseInitStruct.NbPages=1;

//擦除闪存

if(HAL_FLASHEx_Erase(EraseInitStruct,PageError)!=HAL_OK)

{

//擦除失败

Error_Handler();

}

//编程闪存

if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,address,data)!=HAL_OK)

{

//编程失败

Error_Handler();

}

//锁定闪存

HAL_FLASH_Lock();

}

//错误处理函数

voidError_Handler(void)

{

//处理错误

while(1)

{

}

}

intmain(void)

{

HAL_Init();

//写入数据到闪存

uint32_taddress=0

uint32_tdata=0

Flash_Write(address,data);

while(1)

{

//主循环

}

}

2.3电源管理

STM32L1系列提供了多种电源管理功能，以实现低功耗应用。主要的低功耗模式包括：

睡眠模式：CPU停止，外设继续工作。

停止模式：CPU和大部分外设停止，但保留SRAM和寄存器状态。

待机模式：CPU和外设全部停止，只保留RTC和备份寄存器。

2.3.1睡眠模式示例

下面是一个简单的示例，展示如何进入和退出睡眠模式。

#includestm32l1xx_hal.h

voidHAL_Init(void)

{

//初始化时钟

HAL_InitTick(1000);

//初始化NVIC

HAL_NVIC_SetPriorityGrouping(NVIC_PRI