超大面阵碲镉汞探测器低应力设计及有限元分析.pdfVIP

第45卷，第2期红外9

文章编号：1672-8785(2024)02-0009-09

超大面阵碲镉汞探测器低应力

设计及有限元分析

儿王冠张磊

方志浩付志凯

（华北光电技术研究所，北京100015）

摘要：随着碲镉汞材料和器件技术的不断发展，满足大视场、超高分辨率应

用需求的超大阵列规模的红外探测器逐步投入工程应用，超大面阵探测器芯片

的低温可靠性成为封装技术的重点研究内容。以某超大面阵碲镉汞混成芯片为

研究对象，采用有限元仿真分析法研究了冷头材料体系、冷台外径、冷台的结

构形式等因素对混成芯片低温应力和芯片光敏面低温变形的影响规律，最终优

化设计出一套可满足超大面阵芯片低温可靠性要求的冷头结构和材料体系。仿

真结果显示，该冷头体系硅电路低温下最大应力约为70MPa，碲镉汞光敏区在

低温下的变形约为30um。仿真结果能满足工程应用可靠性要求的经验仿真阈

值，有效改进了超大面阵红外探测器的高可靠小型化封装技术。

关键词：超大面阵；红外探测器；有限元仿真；低应力设计

中图分类号：TN215文献标志码：ADOI:10.3969/j.issn.1672-8785.2024.02.002

Low-StressDesignandFiniteElementAnalysisofSuperLarge

AreaArrayMercuryCadmiumTellurideDetectors

FANGZhi-hao,FUZhi-kai,WANGGuan,ZHANGLei

(NorthChinaResearchInstituteofElectro-Optics,Beijing100015,China)

Abstract:Withthecontinuousdevelopmentofmercurycadmiumtelluride(MCT)materialsanddevicetech-

nology,ultra-largearrayscaleinfrareddetectorsthatmeettherequirementsofalargefield-of-viewandultra-

highresolutionapplicationsaregraduallybeingputintoengineeringapplications.Thelow-temperaturereliabil-

ityofultra-largearraydetectorchipshasbecomeakeyresearchtopicinpackagingtechnology.Takingacer-

tainultra-largeareaarrayHgCdTehybridchipastheresearchobject,thefiniteelementsimulationanalysis

methodwasusedtostudytheinfluenceoffactorssuchascoldheadmaterialsystem,coldheadouterdiameter,

andcoldstagestructuralformonthelow-temperaturestressanddeformationofthechipphotosensitivesurface

ofthehybridchip.Finally,asetofcoldheadstructure