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碳化硅化学机械抛光：材料特性、机理及工艺优化探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代工业的宏大版图中，碳化硅（SiC）凭借其卓越非凡的性能，已然占据了举足轻重的关键地位。从晶体结构的微观层面来看，碳化硅拥有极其稳定的天然超晶格结构，属于多种同质多型体，实际已发现200多种不同晶型结构，现阶段能稳定存在的晶型结构主要分为纤锌矿结构（六方晶型结构，即α-SiC，常见晶型有4H-SiC、6H-SiC）和闪锌矿结构（面心立方结构，即β-SiC，典型晶型为3C-SiC）。其晶格基本结构为Si-C四面体，C原子与Si原子以共价键形式结合，形成密堆积结构，Si原子和C原子距离为0.189nm，Si原子和Si原子距离为0.308nm，这种紧密且稳定的结构赋予了碳化硅诸多优异性能。

在半导体领域，碳化硅是制造高性能功率器件的关键材料，其禁带宽度大、击穿场强高和导热性良好等特性，使其成为制造高温、高频、高功率电子器件的理想选择。以电动汽车的逆变器为例，使用碳化硅器件可提高能源转换效率，延长续航里程，有效缓解电动汽车的续航焦虑问题；在新能源发电中，碳化硅功率器件能够提升发电设备的稳定性和转换效率，助力清洁能源的高效利用。在5G通信的基站建设中，碳化硅制成的微波器件凭借高频率、高功率的特性，为高速、稳定的通信提供了硬件基础，推动了通信技术的飞速发展。

在光学镜面领域，碳化硅凭借轻量化、比刚度大和热变形系数小等特点，成为空间反射镜光学元件的优选材料。在航空航天任务中，空间反射镜需要在复杂的宇宙环境下保持高精度的光学性能，碳化硅制成的反射镜能够满足这一严苛要求，为天文观测、对地遥感等任务提供清晰、准确的图像信息，帮助人类探索宇宙奥秘、监测地球环境变化。在机械密封领域，碳化硅材料凭借较高的尺寸稳定性、耐腐蚀性能和耐磨性质，在航空、船舶及特殊车辆等多种场合作为密封元件发挥着重要作用，保障了设备在恶劣工况下的可靠运行，提高了设备的使用寿命和安全性。

然而，碳化硅材料的广泛应用高度依赖于其高质量的表面加工。碳化硅材料的弹性模量（E≈420～530GPa）与其莫式硬度（约9.2，显微硬度约28～40GPa）的比值小于20，属于典型的脆硬性材料。在传统的加工过程中，如定向切割、晶片粗磨、精研磨等工序后，虽然能初步成型，但由于金刚石、碳化硼等高硬度磨粒的使用，其表面不可避免地会出现划痕、残余应力层和机械损伤层。以半导体领域为例，在单晶SiC基片的外延工艺应用中，要求表面粗糙度Ra＜0.3nm，并且表面无缺陷、无损伤，因为哪怕是微小的表面缺陷都可能影响电子的传输性能，进而降低芯片的性能和可靠性；在光学镜面领域，光学元件的表面粗糙度均方根（RMS）需＜1nm，任何超出标准的表面粗糙度和亚表面损伤层深度都会导致光线散射增加，严重影响光学系统成像分辨率，使图像变得模糊不清，无法满足科研和工程应用的需求；在机械密封领域，密封端面要求表面粗糙度Ra＜0.4μm，平面度一般小于0.9μm，否则会导致密封性能下降，引发泄漏等问题，影响设备的正常运行。

化学机械抛光技术作为一种能够有效提高材料表面质量的加工方法，在碳化硅的加工中具有关键作用。该技术通过化学作用在工件表面生成一层软化膜，再通过机械作用去除，从而实现对碳化硅表面的精密加工。1997年ZhouL等首次将化学机械抛光技术应用到碳化硅的抛光加工上，通过控制温度、抛光液酸碱性和使用粒径60nm左右的SiO?抛光颗粒对6H-SiC的Si面进行抛光，使碳化硅的表面粗糙度由2nm下降到0.5nm，材料去除率为200nm/h，这一成果开启了化学机械抛光技术在碳化硅加工领域的应用篇章。此后，化学机械抛光技术不断发展，按照磨料存在状态可分为游离磨料抛光和固结磨料抛光。游离磨料抛光采用三体摩擦方式，通过磨料的划擦和滚轧作用实现材料去除，但易导致SiC材料表面产生微裂纹，形成亚表面损伤，且工艺参数多、游离磨料分散不稳定，还会出现磨料嵌入抛光表面、堵塞抛光垫微孔等问题，最终导致材料去除率逐渐下降；固结磨料抛光采用二体摩擦方式，磨料与抛光垫固定结合，具有磨料等高性好、参与抛光的磨料增多、材料去除率高、表面精度高、清洁简单和绿色环保等优点，但也存在抛光垫磨损不均、面形恶化以及非平面固结磨料抛光垫模具制备及固化方法难度增加等问题。尽管化学机械抛光技术在碳化硅加工中已得到广泛应用，但仍存在加工效率低、加工机理尚未形成统一定论等问题，这在一定程度上限制了碳化硅材料的大规模应用和推广。

本研究聚焦于碳化硅化学机械抛光材料及抛光机理，具有重大的现实意义和深远的战略意义。从产业发展的角度来看，深入研究碳化硅化学机械抛光材料及抛光机