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电子电路设计师理论学习手册练习试题及答案
工种：电子电路设计师
考试时间：120分钟
满分：100分
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一、单项选择题（每题2分，共20分）
1.晶体管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态分别是（）。
A.正偏、反偏
B.反偏、正偏
C.正偏、正偏
D.反偏、反偏
2.在RC串联电路中，当输入信号频率增加时，电容的阻抗将（）。
A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小
3.集成运算放大器的开环增益通常很高，其典型值约为（）。
A.1
B.10
C.100
D.10^5
4.滤波器按频率选择特性可分为低通、高通、带通和带阻，其中允许某一频带信号通过的是（）。
A.低通滤波器
B.高通滤波器
C.带通滤波器
D.带阻滤波器
5.在数字电路中，TTL逻辑门与CMOS逻辑门的典型电源电压分别是（）。
A.5V/3.3V
B.3.3V/5V
C.12V/5V
D.5V/12V
6.双极结型晶体管（BJT）的电流放大系数β通常在（）。
A.1~10
B.10~100
C.100~1000
D.1000~10000
7.在模拟电路中，运算放大器接成反相放大器时，其输入电阻主要由（）。
A.电阻Rf决定
B.电阻R1决定
C.电阻Rf和R1共同决定
D.运算放大器内部输入级决定
8.晶体管开关电路中，为了减小开关损耗，应尽量使晶体管工作在（）。
A.饱和区和截止区
B.放大区
C.饱和区和放大区
D.截止区和放大区
9.在数字电路中，二进制数1011转换为十进制数是（）。
A.8
B.9
C.10
D.11
10.差分放大电路的主要优点是（）。
A.输入电阻高
B.输出电阻高
C.抗干扰能力强
D.电压放大倍数高
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二、多项选择题（每题3分，共15分）
1.晶体管的主要参数包括（）。
A.电流放大系数β
B.特征频率fT
C.极间电容Cbe
D.集电极最大允许电流Icm
E.开启电压Vth
2.RC电路的时间常数τ决定电路的（）。
A.通带宽度
B.相位延迟
C.响应速度
D.谐振频率
E.振荡幅度
3.集成运算放大器的主要特点包括（）。
A.高开环增益
B.高输入阻抗
C.低输出阻抗
D.稳定的工作带宽
E.高压摆率
4.滤波器的分类按结构可分为（）。
A.无源滤波器
B.有源滤波器
C.巴特沃斯滤波器
D.切比雪夫滤波器
E.滤波器组
5.数字电路中的基本逻辑门包括（）。
A.与门
B.或门
C.非门
D.与非门
E.异或门
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三、判断题（每题1分，共10分）
1.晶体管工作在饱和区时，集电极电流IC接近电源电压VC。
2.电容对直流信号相当于开路，对交流信号相当于短路。
3.集成运算放大器的输入端存在共模抑制比CMRR，该值越大越好。
4.滤波器的通带和阻带之间必然存在过渡带。
5.TTL逻辑门比CMOS逻辑门功耗更低。
6.双极结型晶体管的输入电阻比场效应晶体管小。
7.运算放大器接成同相放大器时，其电压增益由外部电阻决定。
8.晶体管开关电路中，饱和压降VCE(sat)越小越好。
9.二进制数中，最高位的权值是2的n-1次方（n为位数）。
10.差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
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四、简答题（每题5分，共20分）
1.简述晶体管放大电路的三种工作状态及其特点。
2.简述滤波器的设计指标（如通带截止频率、阻带衰减等）及其意义。
3.简述TTL逻辑门和CMOS逻辑门的区别及其应用场景。
4.简述运算放大器在信号处理中的主要作用（如反相放大、同相放大等）。
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五、计算题（每题10分，共30分）
1.已知RC串联电路的电阻R=10kΩ，电容C=1μF，输入信号频率f=1kHz，求电路的阻抗Z和相位角φ。
2.某运算放大器接成反相放大器，R1=10kΩ，Rf=100kΩ，输入电压Vi=0.5V，求输出电压Vo。
3.某差分放大电路的差模电压增益Ad=100，共模电压增益Ac=0.1，输入差模电压Vid=1V，共模电压Vic=0.2V，求输出电压Vo。
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六、设计题（15分）
设计一个简单的低通滤波器，要求截止频率fc=1kHz，假设使用RC无源滤波器，计算所需的电阻R和电容C的值（给出两种方案：R=1kΩ和R=10kΩ）。
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答案及解析
一、单项选择题
1.A
2.B
3.D
4.C
5.A
6.B
7.B
8.A
9.D
10.C
二、多项选择题
1.A,B,C,D
2.B,C
3.A,B,C,D,E
4.A,B
5.A,B,C,D,E
三、判断题
1.×
2.√
3.√
4.√
5.×
6.√
7.√
8.√
9.√
10.×
四、简答题
1.晶体管放大电路的三种工作状态及其特点
-放大区：发射结正偏，集电结反偏，IC受IB控制，具有线性放大特性。
-饱和区：发射结正偏
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