西安交通大学模拟电子技术第3章(城市).pptxVIP

3场效应晶体管及其放大电路;场效应管，简称FET(FieldEffectTransistor)，其主要特点：;1.结型场效应管，简称JFET(JunctionFieldEffectTransistor);3.1结型场效应管;;漏极D（drine);符号;N沟道结型场效应管;1．uDS=0时，uGS对沟道的控制作用;b．UGS(off)uGS0;;当uDS=0时，uGS对沟道的控制作用动画演示;2．当uGS=0时，uDS对沟道的控制作用;;;c．uDS|UGS(off)|;当uGS=0时，uDS对沟道的控制作用动画演示;3．当uDS≥0时，uGS(≤0）对沟道的控制作用;uDS、uGS共同对沟道的控制作用动画演示;（1）JFET是利用uGS所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小，;3.1.3结型场效应管的伏安特性;1．输出特性（漏极特性）;;放大区;截止区;2．转移特性;?;当管子工作于恒流区时;3.1.4结型场效应管的主要电参数;2．交流参数;可见，gm与IDQ有关。IDQ越大，gm也就越大。;3.极限参数;例在图示电路中，已知场效应管的；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？;（b）因;3.2绝缘栅型场效应管;3.2.1增强型绝缘栅场效应管;;;2.工作原理;(1)uGS=0,uDS≠0;;;;;;;;a.uDS升高;b.当uGD=uGS-uDS=UGS(th）时;c.当uDS进一步增大;增强型NMOS管工作原理动画演示;2．伏安特性与参数;(1)可变电阻区;(2)放大区(饱和区、恒流区);截止区;管子工作于放大区时函数表达式;例图示为某一增强型NMOS管的转移特性。试求其相应的常数K值。;3.2.2耗尽型MOS管;绝缘层中渗入了正离子;导电沟道增宽;2．伏安特性与参数;b．转移特性曲线;增强型与耗尽型管子的区别：;MOSFET符号;JFET符号;场效应管的特点（与双极型三极管比较）;（4）场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定性较好，且存在零温度系数工作点。;（6）场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。;2.绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？;3.3场效应管放大电路;(3)静态分析;;b.方法二：估算法;例在图示电路其中，VDD=18V、RD=3kΩ、RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ、IDQ和UDSQ。;2．分压式偏置;故;3．信号的输入和输出;3.3.2场效应管的微变等效电路;为跨导;或者;FET的高频模型;3.3.3场效应管组成的三种基本放大电路;由图可知;由图可知;根据输出电阻的定义：;2.共漏极放大电路;由图可知;输入电阻;;由图可知;3.共栅极放大电路;微变等效电路;由图可知;故;故;1.比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管放大电路，在电路结构上有何相似之处？为什么前者的输入电阻较高？

2.为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏置？;例1在图示电路中:

（1）如果电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？

（2）已知T工作于放大区及IDQ，RG1和RG2，求RS。

（3）在线性放大条件下，写出电路的Au、Ri及Ro的表达式。;解：由图可知，该电路是一由N型沟道增强型MOS场效应管组成的共源极放大电路。;将以上两式联立求解得：;（3）