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第三章一、概述
原子发射光谱Generalization
二、ICP-AES结构流程
分析StructureofICP-AES
Atomicemission三、ICP-AES原理
spectrometry,AESPrincipleandfeatureofICP-AES
第三节四、ICP-AES的特点
等离子体发射光谱仪FeatureofICP-AES
五、等离子体发射光谱仪
Plasmaemission
Plasmaemissionspectrometry
spectrometry
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一、概述Generalization
原子发射光谱在年代发展缓慢;
50
1960年,工程热物理学家Reed,设计了环形电感耦等离
子体炬,指出可用于原子发射光谱分析中的激发光源;
光谱学家法塞尔和格伦菲尔德用
于发射光谱分析,建立了电感耦合等
离子体光谱仪(ICP-AES);
70年代后ICP-AES应用广泛。
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等离子体光源的类型
作为发射光谱光源的等离子体喷焰主要有三种形式:
(1)直流等离子体喷焰(Directcurrutplasmajet,DCP)
由两支石墨阳极和一支钨阴极组成三电极装置,冷却气从电极周围
流出,产生热箍缩效应。放电被束缚在狭窄通道内,电流密度高,弧焰
温度高8000-10000K。观察区位于弧交叉下方,约5000K,背景辐射少。
DCP稳定性好,精密度接近ICP,装置简单,运行成本低。
(2)微波感生等离子体(Microwaveinducedplasma,MIP)
微波电磁场与工作气体作用产生等离子体,微波发生器将微波能耦
合给石英管或铜管,使管中心载有试样的气流电离、放电,在管口顶端
形成等离子炬,温度5000-6000K,激发能量高,可激发难激发非金属元
素、、、、、、、等,可用于有机物成分分析,测定金属
CNFBrClCHO
元素的灵敏度不如DCP和ICP。
(3)电感耦合等离子体(Inductivelycoupledplasma,ICP)
ICP的性能优越,已成为最主要的应用方式。
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二、ICP-AES的结构流程
StructureofICP-AESandprocess
主要部分:
1.高频发生器
2.等离子体炬管
3.试样雾化器
4.光谱系统
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三、ICP-AES的原理
PrincipleandfeatureofICP-AES
ICP是由高频发生器和等离子体炬管组成。
1.晶体控制高频发生器
石英晶体作为振源,
经电压和功率放大,产生
具有一定频率和功率的高
频磁场,用来产生和维持
等离子体放电。
石英晶体固有振荡频
率:6.78MHz,二次倍频后
为27.12MHz,电压和功率
放大后,功率为1-2kW;
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2.炬管与雾化器
三层同心石英
玻璃炬管置于高频
感应线圈中,等离
子体工作气体从管冷却氩气
内通过,试样在雾
化器中雾化后,由
中心管进入火焰,
蒸发、原子化和激
发
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3.原理
当高频发生器接通电源后,高频电流I(
)
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