CMOS模拟集成电路版图设计：基础、方法与验证 课件全套 第1--11章 先进集成电路器件--- Cadence Virtuoso版图设计工具.pptx

第一章先进集成电路器件;先进集成电路器件概述;概述;概述;概述;概述;平面全耗尽绝缘衬底上硅MOSFET（planarFD-SOIMOSFET）;平面全耗尽绝缘衬底上硅MOSFET;采用薄氧化埋层的原因;厚氧化埋层的电场散射;厚氧化埋层的电场散射;减薄氧化埋层厚度的益处;减薄氧化埋层厚度的益处;薄氧化埋层的设计挑战;超薄体中的二维效应;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;反亚阈值斜率（S）;漏致势垒降低;漏致势垒降低;FinFET;FinFET;三栅以及双栅FinFET;三栅以及双栅FinFET;鳍型超薄体掺杂效应;鳍型超薄体掺杂效应;体反型效