《电工电子技术》课件——第5章 本导体基本知识.pptVIP

（4）变容二极管变容二极管是利用PN结反向偏置时电容大小随外加电压而发生变化的特性制成的。变容二极管的电路符号及简单应用电路如图5-19所示。图5-19（b）为一变容二极管调频电路，图5-19变容二极管的电路符号及简单应用电路在低频信号U1的作用下，变容二极管VD的结电容发生变化，LC震荡回路的谐振频率也随之改变。变容二极管的电容量一般很小，其最大值为几十到几百微法，最大电容和最小电容之比约为5：1。5.3半导体三极管半导体三极管是电子电路的重要元件，又称晶体三极管、晶体管或简称为三极管。它是由两个PN结组成，即具有电流放大作用。图5-20为几种常见三极管的外形图。图5-20常见三极管的外形图5.3.1半导体三极管的结构半导体三极管的种类很多，按照半导体材料的不同可分为硅管、锗管；按照功率分有小功率管、中功率管和大功率管；按照频率分有高频管和低频管；按照制造工艺分有合金管和平面管等。根据两个PN结的组成不同三极管又可分为NPN型三极管和PNP型三极管，结构示意图及电路符号如图5-21所示，符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向。图5-21三极管的结构示意图及电路符号三极管有三个区，分别为基区、发射区和集电区。从三个区引出的三个电极相应的为基极、发射极和集电极，分别用b、e、c来表示。组成三极管的两个PN结分别为发射结（基区与发射区交界处的PN结）和集电结（基区和集电区交界处的PN结）。为了使三极管具有放大作用，三极管在制造工艺上应具有如下特点：基区做的很薄；发射区掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度；集电区的面积比较大。当三极管制造工艺的特点满足后，为实现电流放大作用，还必须具备一定的外部条件：使发射结正偏，使集电结反偏。（1）三极管的基本工作原理由于NPN管和PNP管的结构对称，工作原理完全相同，下面仅以NPN管为例，讨论三极管的基本工作原理。在满足上述内部和外部条件的情况下，三极管内部载流子的运动如图5-22所示，图5-22三极管内部载流子的运和电流关系载流子的运动可分为三个部分来理解。首先，发射区向基区注入电子，形成发射极电流IE。其次，发射区发射的自由电子注入基区后，因为基区多子为空穴，所以从发射极发射出来的自由电子要和基区的空穴产生复合运动而形成基极电流IB。最后，集电结的内电场将基区的自由电子收集到集电区，从而形成集电极电流IC。由此可知，三极管中的两种载流子都参与了导电，所以三极管又称为双极型晶体管。由于PNP管和NPN管结构对称，发射结正向偏置时发射区发射的多子是空穴，因此PNP管的电流方向正好和NPN管的电流方向相反。（2）各极电流分配关系由三极管内部载流子的运动可以看出，IE=IC+IB。由于复合电流IB很小，所以通常认为IE≈IC。IC和IB成比例关系，比值的大小取决于制造三极管时的结构和工艺，称为三极管的直流电流放大系数，用表示。通常取值范围为20～200，忽略少子漂移电流，各电极电流的关系为：IC=IB，IE=IC+IB。利用基极电流IB实现对集电极电流IC的控制，就是三极管的电流放大作用。5.3.2三极管的伏安特性曲线三极管的伏安特性曲线是指三极管各极电压与电流之间的关系曲线。常用的伏安特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线。（1）输入特性曲线输入特性曲线是指当集电极与发射极之间的电压uCE为一常数时，输入回路中基极电流iB与加在三极管基极与发射极之间的电压uBE之间的关系曲线。用函数式表示为：iB=f(uBE)/uCE=常数当uCE为不同的数值时，三极管的输入特性曲线如图5-24所示，从图上可以看出：三极管的输入特性曲线和二极管的正向特性曲线相似，当输入电压小于导通电压时，三极管不导通，基极电流为零；当输入电压大于导通电压时，三极管导通。当uCE为不同的值时，输入特性略有不同，即随着uCE的增大，特性曲线向右移动趋势越来越慢，一般当uCE≥1V时，各条特性曲线几乎重叠一起，图5-24三极管的输入特性曲线所以通常只用一条曲线代表u≥1V以后的各条曲线。（2）输出特性曲线输出特性曲线是在基极电流iB一定的情况下，三极管的集电极电流iC和集电极与发射极之间的电压uCE之间的关系曲线。用函数式表示为：iC=f（uCE）/iB=常数当iB取不同的值时，三极管的输出特性曲线如图5-25所示。从图中可以看