探究硅基半导体微观缺陷与电子结构对光电性能的影响.docx

探究硅基半导体微观缺陷与电子结构对光电性能的影响

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，硅基半导体凭借其独特的物理化学性质，已然成为支撑众多关键技术领域发展的核心材料，在半导体产业中占据着举足轻重的地位。从集成电路到光电子器件，从传感器到功率器件，硅基半导体的身影无处不在，为信息通信、计算机、能源、医疗等诸多行业的进步提供了坚实的基础。

硅作为地球上储量极为丰富的元素之一，其在地壳中的含量约为27.7%，这使得获取硅材料相对容易且成本较低，为大规模生产和广泛应用提供了得天独厚的条件。硅具有良好的电学性能，其禁带宽度适中，约为1.12eV，既能在常温下保持较好的导电