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热蒸发SiOx赋能氮化镓高电子迁移率晶体管：性能提升与应用拓展研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的背景下，对高性能电子器件的需求持续增长。氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为第三代半导体器件的杰出代表，凭借其卓越的特性，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。

氮化镓材料具有高电子迁移率、宽带隙以及高热导率等突出优势。高电子迁移率使得电子在器件沟道中能够快速移动，从而支持更高的工作频率和更快的开关速度，这在高频通信领域尤为关键。例如，在5G乃至未来的6G通信系统中，需要器件能够处理更高频率的信号以实现高速数据传输，氮化镓高电子迁移