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《GB/T44937.4-2024集成电路电磁发射测量第4部分：传导发射测量1Ω/150Ω直接耦合法》实施指南

目录

一、1Ω/150Ω直接耦合法：集成电路电磁发射测量的核心技术，未来几年将如何引领行业变革？专家深度剖析

二、从原理到实践：1Ω/150Ω直接耦合法在集成电路传导发射测量中的应用，专家视角解读关键要点有哪些？

三、精准测量的保障：《GB/T44937.4-2024》中测量设备与仪器的要求，深度剖析其未来发展趋势

四、如何确保测量准确性？《GB/T44937.4-2024》中测量环境与条件控制要点解读

五、《GB/T44937.4-2024》实施后，1Ω/150Ω直接耦合法对集成电路设计优化的指导意义在哪？

六、直击行业痛点：《GB/T44937.4-2024》实施过程中，传导发射测量可能遇到的问题与解决方案

七、《GB/T44937.4-2024》对集成电路行业供应链的影响有多大？传导发射测量标准的上下游联动分析

八、与国际标准接轨：《GB/T44937.4-2024》与国际先进集成电路电磁发射测量标准的对比与融合

九、新兴技术浪潮下，《GB/T44937.4-2024》在未来几年如何适应集成电路新技术发展？

十、《GB/T44937.4-2024》实施指南的落地应用：企业如何依据标准提升产品竞争力？

一、1Ω/150Ω直接耦合法：集成电路电磁发射测量的核心技术，未来几年将如何引领行业变革？专家深度剖析

（一）1Ω/150Ω直接耦合法的基本原理是什么？

1Ω/150Ω直接耦合法是通过特定阻抗连接，测量集成电路传导电磁发射的方法。1Ω测试法将1Ω电阻串联在地回路，获取地回路射频电流，反映集成电路电磁干扰，同时实现测试设备与接地引脚端阻抗匹配。150Ω测试法用于测试输出端口干扰电压，150Ω阻抗代表线束共模阻抗统计平均值，通过阻抗匹配网络实现与50Ω测试系统阻抗匹配。此原理是该方法测量的基础，能有效检测集成电路电磁发射情况。

（二）该技术在当前集成电路发展趋势下的独特优势体现在哪？

在当前集成电路小型化、高集成度、高频化发展趋势下，1Ω/150Ω直接耦合法优势显著。其能精准测量微小集成电路的电磁发射，适应小型化需求。对于高集成度芯片，可有效区分不同功能模块的电磁发射。在高频工作时，能准确捕捉快速变化的射频信号。相比其他方法，该技术对复杂集成电路电磁发射测量更具针对性与准确性，为评估芯片电磁兼容性提供有力支持。

（三）未来几年，1Ω/150Ω直接耦合法将如何推动集成电路行业技术创新？

未来几年，1Ω/150Ω直接耦合法将从多方面推动集成电路行业技术创新。促使芯片设计优化，设计人员依据精准测量结果改进电路布局，降低电磁发射。推动测试设备升级，研发更适配的高精度测量仪器。助力新型材料在集成电路中的应用探索，通过测量不同材料对电磁发射的影响，寻找更优材料。还会促进电磁兼容仿真技术发展，提高仿真准确性，减少实际测试成本与时间。

二、从原理到实践：1Ω/150Ω直接耦合法在集成电路传导发射测量中的应用，专家视角解读关键要点有哪些？

（一）实际操作中，1Ω测试法的具体步骤与注意事项是什么？

实际操作1Ω测试法时，首先要准备好低电感、容差1%的1Ω射频电阻器。将其串联在集成电路的地回路中，连接时要确保连接可靠，尽量缩短连接导线长度，以减少额外电感影响。测量过程中，通过测量接收机测量1Ω电阻上的电压，以此获取地回路射频电流。注意测试环境要安静，避免外界电磁干扰。IC地和外围地若使用，需用0.5mm-0.6mm宽隔离带隔离，且寄生耦合电容小于30pF，IC地连接痕迹长度不超15mm。

（二）150Ω测试法在应用时，阻抗匹配网络的设计与搭建要点有哪些？

150Ω测试法应用中，阻抗匹配网络设计搭建至关重要。需依据测试频率范围与集成电路输出特性设计网络。网络元件选择要精准，如选用合适电容、电感、电阻。网络应置于靠近集成电路输出端，以减少传输损耗。布线时，要保证线路具有150Ω线性阻抗，若难以实现，线路要短且阻抗合理。实现150Ω共模阻抗与50Ω测试系统阻抗匹配，确保测量准确。

（三）如何将1Ω/150Ω直接耦合法与集成电路的实际工作场景相结合进行有效测量？

将该方法与实际工作场景结合时，要模拟集成电路真实工作状态。供电电源采用与实际相同或等效的低射频噪音电源。加载实际工作中的信号激励，包括数字信号、模拟信号等。考虑集成电路周围其他电路影响，可在测试电路板上集成部分外围电路。依据实际应用中信号传输线缆情况，合理设置150Ω测试法中的阻抗匹配网络，使测量结果更贴合实际工作场景下的电磁发射情况