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半导体制造技术考试题库

一、选择题

1.以下哪种气体常用于半导体制造中的等离子体刻蚀过程？（）

A.氮气（N?）

B.氢气（H?）

C.氯气（Cl?）

D.氧气（O?）

答案：C

解析：在半导体制造的等离子体刻蚀过程中，氯气（Cl?）是常用的刻蚀气体。它可以与多种半导体材料发生化学反应，实现对材料的刻蚀。氮气（N?）一般用于保护气等；氢气（H?）常用于还原气氛等；氧气（O?）常用于氧化工艺或对有机材料的刻蚀等，但在很多金属和半导体材料的刻蚀中，氯气更常用。

2.光刻工艺中，光刻胶在曝光后，通过显影液显影，正性光刻胶的显影原理是（）

A.曝光部分溶解于显影液

B.未曝光部分溶解于显影液

C.整个光刻胶层都溶解于显影液

D.光刻胶不与显影液发生反应

答案：A

解析：正性光刻胶的特性是在曝光后，曝光部分的光刻胶分子结构发生变化，变得能够溶解于显影液，而未曝光部分则不溶解。这样在显影过程中，曝光部分被去除，从而在光刻胶层上形成与掩膜版图案对应的图形。

3.化学气相沉积（CVD）中，低压化学气相沉积（LPCVD）与常压化学气相沉积（APCVD）相比，其优点是（）

A.沉积速率快

B.薄膜均匀性好

C.设备成本低

D.不需要反应气体

答案：B

解析：低压化学气相沉积（LPCVD）由于工作压力较低，气体分子的平均自由程增大，使得反应气体能够更均匀地分布在