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- 2025-08-22 发布于四川
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1第四章基本单元电路4.7传输门基本特性
2MOS传输门逻辑电路NMOS/PMOS传输门特性CMOS传输门特性传输门的级联NMOS传输门的电平恢复
MOS传输门结构3NMOS传输门PassTransistor源、漏端不固定双向导通CMOS传输门TransmissionGateNMOS,PMOS并联源、漏端不固定栅极接相反信号两管同时导通或截止CMOS反相器NMOS,PMOS串联源端接固定电位、漏端输出栅极接相同信号两管轮流导通或截止
NMOS传输门传输高电平特性4源端VD=VG,器件始终处于饱和区,直到截止(类似于饱和负载的特性)Vin=VDD,Vc=VDD
NMOS传输高电平5输出电压:有阈值损失1工作在饱和区,但是电流不恒定2衬偏效应3增加阈值损失4减小电流5低效传输高电平(电平质量差,充电电流小)Vin=VDD,Vc=VDD,Vout=VDD-Vth6
NMOS传输门传输低电平特性6”漏ints:器件先处于饱和区,后处于线性区(类似于CMOS反相器中的NMOS管)05Vin=0,Vc=VDD06
NMOS传输低电平7输出电压:没有阈值损失先工作在饱和区,后进入线形区没有衬偏效应高效传输低电平(电平质量好,充电电流大)Vin=0,Vc=VDD,Vout=0
NMOS传输高电平和低电平8NMOS传输高电平过程的等效电阻近似为传输低电平时
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