电子技术基础(第五)康华光半导体二极管及其基本电路.pptVIP

半导体二极管的结构将PN结加上引线和封装，就成为一个二极管。表示符号：P区引出的线称为阳极（正极），用“a”表示；N区引出的线称为阴极（负极），用“k”表示。k阴极阳极aD按结构分点接触型面接触型按材料分硅管锗管按用途分普通管整流管…*目前三十一页\总数六十九页\编于四点1.点接触型二极管PN结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳(a)点接触型*目前三十二页\总数六十九页\编于四点2.面接触型二极管铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线(b)面接触型PN结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。*目前三十三页\总数六十九页\编于四点3.平面型二极管阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅(c)平面型往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。*目前三十四页\总数六十九页\编于四点硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压VBR正向压降VF外加电压大于死区电压，二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压，二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.7V锗0.2VvDiD死区电压VthPN+–PN–+常温下，反向电流很小二极管的伏安特性*目前三十五页\总数六十九页\编于四点硅二极管2CP10的V-I特性锗二极管2AP15的V-I特性在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管的反向电流一般在微安(uA)级。*目前三十六页\总数六十九页\编于四点二极管的单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。*目前三十七页\总数六十九页\编于四点二极管的参数1.最大整流电流IF2.反向击穿电压VBR二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。最高反向工作电压VRM二极管反向击穿时的电压值。是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压VBR的一半或三分之二。锗二极管2AP15的V-I特性——选择二极管的依据*目前三十八页\总数六十九页\编于四点3.正向压降VF锗二极管2AP15的V-I特性门坎电压：硅管0.5V，锗管0.1V。导通压降:硅管0.7V,锗管0.2V。门坎电压Vth温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VF大约减小2mV，即二极管具有负温度系数。*目前三十九页\总数六十九页\编于四点4.反向电流IR指二极管未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差。5.极间电容CJCJ=CD+CB温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加。硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。*目前四十页\总数六十九页\编于四点3.4二极管基本电路及其分析方法3.4.2二极管电路的简化模型分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法*目前四十一页\总数六十九页\编于四点3.4.1简单二极管电路的图解分析方法二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V-I特性曲线。*目前四十二页\总数六十九页\编于四点例：电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD。解：由电路的KVL方程，可得即是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线Q点称为电路的工作点，Q的坐标值（VD，ID）即为所求。*目前四十三页\总数六十九页\编于四点将指数模型分段线性化，得到二极管V-I特性的简化模型。3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.