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金属凝固热力学与动力学;内容概要;第一节凝固热力学
第二节均质形核
第三节非均质形核
第四节晶体长大;第一节凝固热力学;一、液-固相变驱动力;由麦克斯韦尔热力学关系式:;G=H-ST,所以:ΔGV=GS-GL=(HS-SST)-(HL-SLT)
=(HS-HL)-T(SS-SL)
即ΔGV=ΔH-TΔS
当系统的温度T与平衡凝固点Tm相差不大时,
ΔH≈-ΔHm(此处,ΔH指凝固潜热,ΔHm为熔化潜热)
相应地,ΔS≈-ΔSm=-ΔHm/Tm,代入上式得:
;二.曲率、压力对物质熔点的影响;;三、溶质平衡分配系数(K0);第二节均质形核;异质形核后体积自由能变化为:
即:液相自由能G随温度上升而下降的斜率大于固相G的斜率。
形核率:是单位体积中、单位时间内形成的晶核数目。
异质形核后的界面能变化为:
临界晶核的表面积为:
有机物及无机物属此类;
晶核依附于夹杂物的界面上形成。
二、非均质形核形核条件
晶核形成时,系统自由能变化由两部分组成,即作为相变驱动力的液-固体积自由能之差(负)和阻碍相变的液-固界面能(正):
熔融熵ΔSf上升,则?增大,
ΔSf为单个原子的熔融熵。
过冷度大时,生长速度快,界面的原子层数较多,容易形成粗糙面结构。
对球形颗粒
G=H-ST,所以:ΔGV=GS-GL=(HS-SST)-(HL-SLT)
晶核依附于夹杂物的界面上形成。
光滑界面也称“小晶面”或“小平面”。
r>r*时,r↑→ΔG↓;一、形核功及临界半径;令:
得临界晶核半径r*:
r*与ΔT成反比,即过冷度ΔT越大,r*越小;
ΔG*与ΔT2成反比,过冷度ΔT越大,ΔG*越小。;若将?=2,η/ν=0.
非均质形核、均质形核
过冷度与形核率
(1)二维晶核机制:台阶在界面铺满后即消失,要进一步长大仍须再产生二维晶核;
如:白磷在低长大速度时(小过冷度ΔT)为小晶面界面,在长大速度增大到一定时,却转变为非小晶面。
Tm及ΔHm对一特定金属或合金为定值,所以过冷度ΔT是影响相变驱动力的决定因素。
这说明非密排晶面作为晶体表面(液-固界面)时,容易成为粗糙界面。
Tm及ΔHm对一特定金??或合金为定值,所以过冷度ΔT是影响相变驱动力的决定因素。
当系统的外界压力升高时,物质熔点必然随着升高。
界面结构与冷却速度及浓度(动力学因素)
所以,液体中晶坯附在适当的基底界面上形核,体积比均质临界核体积小得多时,便可达到临界曲率半径,因此在较小的过冷度下就可以得到较高的形核率。
K0的物理意义:
对于一般金属,温度降到某一程度,达到临界过冷度(ΔT*),形核率迅速上升。;临界晶核的表面积为:;二、形核率;第三节非均质形核;一、非均质形核形核功;非均质形核、均质形核
过冷度与形核率;二、非均质形核形核条件;第四节晶体长大;一、液-固界面自由能及界面结构;1、粗糙界面与光界滑面;粗糙界面与光滑界面是在原子尺度上的界面差别,注意要与凝固过程中固-液界面形态差别相区别,后者尺度在μm数量级。;2、界面结构类型的判据;?被称为Jackson因子,
ΔSf为单个原子的熔融熵。
?≤2的物质,凝固时固-液界面为粗糙面,因为ΔFS=0.5(晶体表面有一半空缺位置)时有一个极小值,即自由能最低。大部分金属属此类;;3、界面结构与熔融熵;4、界面结构与晶面族;5、界面结构与冷却速度及浓度;二、晶体长大方式;1、连续长大;2、台阶方式长大(侧面长大);“侧面长大”方式的三种机制;三、晶体长大速度;异质形核后的界面能变化为:
异质形核后体积自由能变化为:
异质形核引起的自由能变化为:
ΔGhe=ΔG(V)+ΔG(S)
由:
即可得到非均质形核时的r*、ΔG*的表达式。;;?与θ的关系图形;本章结束;感谢观看
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