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§2.2.1三极管的结构和工作原理
按频率分有高频管、低频管
按功率分有小、中、大功率管
按材料分有硅管、锗管
按结构分有NPN型和PNP型
3DG6
三极管
表示器件材料和极性
高频管
设计序号
A:PNP锗材料
B:NPN锗材料
D:NPN硅材料
C:PNP硅材料
三极管的不同封装形式
金属封装
塑料封装
大功率管
中功率管
三极管的结构
半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。
两种类型的三极管
发射结(Je)
集电结(Jc)
基极,用B或b表示(Base)
发射极,用E或e
表示(Emitter);
集电极,用C或c
表示(Collector)。
发射区
集电区
基区
三极管符号
结构特点:
•发射区的掺杂浓度最高;
•集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;
•基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
三极管的电流分配与放大作用
正常放大时外加偏置电压的要求
bc结反偏
be结正偏
问:若为PNP管,图中电源极性如何?
发射结应加正向电压(正向偏置)
集电结应加反向电压(反向偏置)
三极管内载流子的传输过程
动画2-1
三极管内载流子的传输过程
2.电子在基区中的扩散与复合
3.集电区收集扩散过来的电子
另外,基区集电区本身存在的少子,
在集电结上存在漂移运动,由此形成电流ICBO
三极管内有两种载流子参与导电,故称此种三极管
为双极型三极管,记为BJT
1.发射区向基区注入电子
三极管三个电极间的分配关系
IE=IB+IC
IE=IBN+ICN
IB=IBN-ICBO
IC=ICN+ICBO
三极管的放大作用
较大的ΔiE
如(1mA)
ΔVO=ΔiCRL
(较大)
ΔiC(较大)
如(0.98mA)
较小ΔVI
如(20mV)
正向时PN结电流与电压成指数关系
ΔVO
iB=IB+△iB
iC=iE=IC+ΔiC
iE=IE+ΔiE
+
-
+
_
e
c
b
RL
ΔVI
电压放大倍数
三极管基区的电流传递作用
两个要点
三极管的放大作用,主要是依靠它的IE能通过基区传输,然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输,一方面要满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方面要满足外部条件,即发射结正偏,集电结要反偏。
输入电压的变化,是通过其改变输入电流,再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化,所以是一种电流控制器件。
§2.2.2三极管的特性
三极管在电路中的连接方式
共基极连接
共集电极连接
共发射极连接
三极管的特性曲线
输出特性曲线
概念
特性曲线是指各电极之间的电压与电流之间的关系曲线
输入特性曲线
BJT的特性曲线
vCE=0V
+
-
b
c
e
共射极放大电路
VBB
VCC
vBE
iC
iB
+
-
vCE
iB=f(vBE)vCE=const
(2)当集电结进入反偏状态时,vCB=vCE-vBE随着vCE的增大而增大,集电结的反偏加强。由于基区的宽度调制效应,基区变窄,基区复合减少,同样的vBE下IB减小,特性曲线右移。
vCE=0V
vCE1V
(1)当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。
1.输入特性曲线
(以共射极放大电路为例)
输入电流与输入电压间的关系曲线
当vCE1V以后,由于集电结的反偏电压可以在单位时间内将所有到达集电结边上的载流子拉到集电极,故iC不随vCE变化,所以同样的vBE下的iB不变,特性曲线几乎重叠。
BJT的特性曲线
iC=f(vCE)iB=const
2.输出特性曲线
输出电流与输出电压间的关系曲线
+
-
b
c
e
共射极放大电路
VBB
VCC
vBE
iC
iB
+
-
vCE
输出特性曲线的三个区域:
饱和区:的区域,发射结正偏,集电结正偏。iC明显受vCE控制的区域,但不随iB的增加而增大。在饱和区,可近似认为vCE保持不变。对于小功率硅管,一般vCES=0.2V。
放大区:此时,发射结正偏,集电结反偏。iC不随vCE变化,但随iB的增大而线性增大,且
截止区:iB=0的输出曲线以下的区域。此时,发射结和集电结均反偏。iC只有很小的反向电流。
如何判断三极管的电极、管型和材料
发射结处于正向偏置,且对于硅管|VBE|=0.7V,锗管|VBE|=0.2V;
集电结处于反向偏置,且|VCB|>1V;
NPN管集电极电位比发射极电位高,PNP管集电极电位比发射极电位低。
当三极管在电路中处于放大状态时
例题
一个BJT在电路中处于正常放大状态,测得A、B和C三个管脚对地的直流电位分别为6V,0.6V,1.3V。试判别三
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