晶体管及其放大电路.pptxVIP

第7章晶体管及其放大电路

本章主要内容：

7.1晶体管

7.2放大电路的直流偏置

7.3共射极放大电路

7.4共集电极和共基极放大电路

7.5组合放大电路

7.6放大电路的频率响应

七．晶体管

l本节主要内容：

7.晶体管的结构

8.晶体管的工作原理

9.晶体管的伏安特性

10.晶体管的主要参数

11.温度对晶体管特性和参数的影响

7.1.1晶体管的结构

1、NPN型晶体管的结构和电路符号

发射区c集电极

基区

N

集电区c

b基极集电结

P基区b

发射结

集电区

发射区e

N

e发射极

（a）内部结构（b）结构示意图（c）电路符号

（c）图中的箭头表示发射结正向电流的方向。

2、PNP型晶体管的结构和电路符号

c集电极

Pc

集电区

b基极集电结b

N基区

发射结e

发射区

P

e发射极

（a）结构示意图（b）电路符号

3、常见晶体管的封装外形如图所示：

7.1.2晶体管的工作原理

内部条件：发射区掺杂浓度很高；基区很薄，掺杂浓度低；集电区

面积很大，掺杂浓度远低于发射区。通过制造工艺保证内部条件的

实现。

外部条件：发射结加正向电压（正向偏置），集电结加反向电压

（反向偏置）。通过电路设计保证外部条件的实现。

1.载流子的传输过程（1）发射区向基区注入载流子

c

IC由于发射结正向偏置，发射

ICBOICN+区的电子源源不断地注入基区，

NRc

IB基区的空穴也要注入发射区，

b

IBNvCE

P二者共同形成发射极电流IE。

R+

bVCC

IIN

vBEEPEN_IEIENIEPIEN

VBB

_eIE

由于基区掺杂浓度比发射区小2～3个数量级，

基区注入发射区的空穴电流可以忽略不计

（）载流子在基区中的扩散与复合

c2

I