原创力文档MOCVD外延生长双色LED芯片的晶圆级制造与良率提升策略
目录
TOC\o1-3\h\z\u一、MOCVD外延生长技术基础与双色LED结构设计 3
1、MOCVD设备选型与工艺参数优化 3
反应室结构对材料均匀性的影响分析 3
温度场与气流场模拟优化方案 4
2、双色LED外延结构设计与能带工程 4
量子阱结构参数对发光效率的影响 4
应力补偿层设计及晶格匹配方案 5
二、晶圆级制造工艺流程与关键控制点 7
1、外延生长工艺窗口控制 7
比对材料质量的影响规律 7
生长速率与掺杂浓度的协同控制 9
2、芯片制造工
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