200G以上低插损高开关比太赫兹调制器的研究.pdfVIP

200G以上低插损高开关比太赫兹调制器的研究.pdf

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摘要

摘要

近年来通信技术的发展非常迅速,太赫兹通信技术凭借频率高、传输速率高、

方向性好和抗干扰能力强的优点,成为未来6G通信技术的预备技术。太赫兹调

制器作为太赫兹通信系统的关键部件,直接影响通信系统的性能和表现。现有调

制器件插入损耗较高,造成已调信号功率下降。因此如何在保持开关比、调制速

率的前提下尽量降低插损成为当前研究热点之一。本文通过对修正工字形结构设

计结合太赫兹肖特基二极管实现低插损、高开关比的高速调制器件。本文的主要

研究内容为:

1、低插损高开关比太赫兹幅度调制器仿真设计研究:对肖特基二极管参数进

行拟合,建立肖特基二极管SDD(SymbolDefinedDevice)模型。然后设计和仿真

太赫兹调制器,进行调制器谐振结构仿真,设计修正工字形结构,经过中频端口

匹配,提高开关比并降低插损。调制器仿真结果为在220-240GHz具有调制效果,

在224GHz插入损耗为1.9dB,开关比达到30dB以上。然后设计调制器共面波

导馈电电路,优化中频信号传输效果,提高调制器馈电性能。

2、200GHz以上低插损高开关比直接调制器实验测试:对200GHz以上低插

损高开关比直接调制器进行加工装配和测试。在实验中使用矢量网络分析仪测试

调制器静态散射参数,测试结果为调制器在220-240GHz有调制效果,在226GHz

插入损耗为1.7dB,开关比为33dB。对调制器进行了动态测试,最高单音频率为

18GHz,信号波形正常,幅度变化比较平缓。

3、共面波导直接调制器研究:基于共面波导和二极管结构的电磁传输特性,

设计出220GHz共面波导直接调制器。调制信号从调制器的馈电端口馈入,造成

肖特基二极管在通断状态转换,改变共面波导电磁特性,实现太赫兹波的幅度调

控。仿真结果为调制器的带宽为210-230GHz,在220GHz的插入损耗为3.1dB,

开关比为19dB。然后利用鳍线传输线结合肖特基二极管,仿真波导加载太赫兹鳍

线型调制器。调制器的带宽为130-150GHz,在140GHz的插入损耗为2.2dB,开

关比为18dB。太赫兹鳍线型调制器中,二极管两端共地,馈电问题待解决,后续

通过连通中间金属进行调制器二极管馈电。

通过对低插损高开关比太赫兹调制器的研究和共面波导与鳍线直接调制器的

研究,拓展了低插损太赫兹直接调制器的物理结构,为今后的太赫兹调制器的研

究提供了支持。

I

摘要

关键词:太赫兹直接调制器,低插入损耗,肖特基二极管SDD模型,人工微结构,

幅度调制器

II

Abstract

Abstract

Thedevelopmentofcommunicationtechnologyischangingwitheachpassingday

inrecentyears,andterahertzcommunicationtechnologyhastheadvantagesofhigh

signalfrequency,hightransmissionrate,gooddirectionalityandstronganti-interference

ability,andhasbecomeapreparatorytechnologyforfuture6Gcommunication

technology.Asakeycomponentoftheterahercitycommunicationsystem,theteraherz

modulatordirectlyaffectstheperformanceandperformanceofthecommunication

system.Terahertzdirectmodulatorsstillneedtobes

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