微电子元器件第六章 场效应晶体管.pptVIP

图3-10a画出了Si和GaAs沿[111]和[100]方向的能带结构(E-k关系)。我们看到，能带极值附近的E-k关系近似为抛物线型，但在能量较高的地方则明显偏离了抛物线型关系。沿[111]和[100]方向画出的能带是不对称的：在k=0附近即Γ极小附近有一个Γ能谷，沿[100]方向在X极小附近有一个x能谷，沿[111]方向在L极小附近有一个L能谷。大多数半导体的价带最大值(即价带顶)都位于Γ处。价带有3个分支，分别是曲率最小的重空穴带、曲率较大的轻空穴带、以及一个因自旋-轨道耦合而形成的分裂带。我们注意到，GaAs的导带底和价带顶都对应着k=0，说明GaAs是直接禁带半导体。而对于si来说，沿6个等价的100方向有6个等价的导带能谷，但这些极小都不在K=0处，所以Si不是直接禁带半导体．第61页，共86页，星期日，2025年，2月5日第62页，共86页，星期日，2025年，2月5日第63页，共86页，星期日，2025年，2月5日第64页，共86页，星期日，2025年，2月5日第65页，共86页，星期日，2025年，2月5日忽略源极、漏极的欧姆压降和沟道两端附近区域内的压降;忽略源区和漏区的接触电阻。若把栅和源短路，使VG=0V(见图6-4)，则VD小时整个栅区的电势和X=0处的电势相同。在小电流情况下，耗尽区的宽度也近似等于平衡态耗尽区的宽度，如图6-4a所示。当VD增大引起电流增大时，漏端电势高于源端电势，且栅-沟结处于反偏状态；反偏压从漏端的VD降低到源端的0。由此可以判断VG=0V时沟道耗尽区的形状是如图6-4b所示的形状，即漏端附近的耗尽区深入到了沟道之中，沟道的有效面积减小。电流如较小时，I-V曲线近似为直线；如较大时，由于沟道电阻的影响，I-V曲线开始偏离直线关系。当VD和ID继续增大时，漏端附近的耗尽区扩展到沟道中心线附近，使沟道电阻进一步增大。当VD增大到一定程度时，耗尽区在沟道中心线上相遇，此时沟道被夹断了，如图6-4c所示。沟道夹断后，电流ID不再随VD的增大而显著增大，而是基本保持在夹断时的水平，即电流饱和。第29页，共86页，星期日，2025年，2月5日金属-半导体结在制造工艺上比p-n结更容易精确实现，所以MESFET在高速数字电路和微波电路中应用很广,特别是III-V族化合物半导体(如GaAs、GaP等)MESFET，因其载流子迁移率和漂移速度都很高，所以工作速度比SiMESFET快得多。6.3金属一半导体场效应晶体管如果用金属-半导体肖特基结取代JFET中的p-n结，则相应形成的场效应晶体管称为金属-半导体场效应晶体管(MESFET)。在金属--半导体结上施加反偏压也能使沟道耗尽，所以MESFET具有类似于JFET的电学特性。6.3.1GaAs金属-半导体场效应晶体管在半绝缘的GaAs衬底上外延生长一层轻掺杂的n型GaAs作为MESFET的沟道区。源极、漏极的接触材料通常为Au、Ge合金，肖特基栅的接触材料通常为Al。在肖特基栅上施加反偏压，沟道耗尽区向衬底方向延伸，相应的电流-电压特性与FFET的类似。第30页，共86页，星期日，2025年，2月5日6.3.2高电子迁移率晶体管在两层掺杂的宽禁带半导体之间布置一层不掺杂的窄禁带半导体，如图6-8所示的那样，在两层掺杂的AlGaAs层之间制作一层不掺杂的GaAs薄层形成异质结，则异质结的势垒使中间的GaAs薄层成为一个势阱。通常把这种夹层结构称为调制掺杂结构。电子一旦由AlGaAs层进入到GaAs势阱层中，便会陷入其中并大量积累，因而势阱中电子的浓度很高。而且，由于势阱层未经掺杂，电子在其中运动时不受杂质散射的作用，所以迁移率也很高。第31页，共86页，星期日，2025年，2月5日6.4金属-绝缘体-半导体场效应晶体管金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)是在数字集成电路中应用最广的器件之一。这种器件的栅极和导电沟道之间由绝缘层隔开，依靠栅上施加的偏压控制源．漏极电流，因此有时也将这种器件叫做绝缘栅场效应晶体管(简写为IGFET)。这种器件的衬底材料通常是Si，绝缘介质材料是Si02，栅极可以采用金属也可以采用多晶硅(更多地采用多晶硅)。所以，最常用的MISFET实际上是MOSFET。第32页，共86页，星期日，2025年，2月5日MOS场效应晶体管分为增强型（EnhancementMOS或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。第33页，共86页，星期日，2025年，2月5日N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两