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半导体物理题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体中起导电作用的主要是（）

A.自由电子B.空穴C.自由电子和空穴D.离子

答案：C

解析：半导体中自由电子和空穴都参与导电，它们统称为载流子。

2.本征半导体的导电能力取决于（）

A.温度B.光照C.杂质D.温度和光照

答案：D

解析：本征半导体中载流子浓度随温度升高和光照增强而增加，导电能力也随之改变。

3.P型半导体中多数载流子是（）

A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子

答案：B

解析：P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质形成，多子为空穴。

4.杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.外加电压

答案：A

解析：少数载流子是由本征激发产生，其浓度主要受温度影响。

5.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：A

解析：正向偏置时，扩散运动增强，扩散电流大于漂移电流。

6.半导体二极管的正向伏安特性是（）

A.线性的B.非线性的C.开始是线性的，后来是非线性的D.开始是非线性的，后来是线性的

答案：B

解析：二极管正向伏安特性符合指数规律，是非线性的。

7.稳压二极管工作在（）

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.不确定

答案：C

解析：稳压二极管利用反向击穿特性来稳压，工作在反向击穿区。

8.三极管处于放大状态时，其发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

答案：B

解析：发射结正偏、集电结反偏时三极管处于放大状态。

9.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流

答案：A

解析：场效应管通过改变栅源电压来控制沟道电流，从而控制漏极电流。

10.对于MOS管，当栅源电压为零时，（）导电沟道。

A.存在B.不存在C.不确定D.有时存在有时不存在

答案：B

解析：MOS管栅源电压为零时，不存在导电沟道。

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

答案：ABC

解析：半导体具有热敏性、光敏性和掺杂性，绝缘性不是其特性。

2.下列属于杂质半导体的是（）

A.N型半导体B.P型半导体C.本征半导体D.绝缘体

答案：AB

解析：杂质半导体分为N型和P型半导体，本征半导体不是杂质半导体，绝缘体与半导体概念不同。

3.PN结的特性有（）

A.单向导电性B.电容效应C.放大作用D.稳压作用

答案：AB

解析：PN结具有单向导电性和电容效应，放大作用是三极管的特性，稳压作用是稳压管的特性。

4.半导体二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.反向电流C.反向击穿电压D.极间电容

答案：ABCD

解析：这些都是二极管的重要参数，反映了二极管的性能。

5.三极管的三个工作区域是（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区

答案：ABC

解析：三极管有放大、饱和、截止三个工作区域，击穿区不是正常工作区域。

6.场效应管的优点有（）

A.输入电阻高B.噪声低C.热稳定性好D.功耗低

答案：ABCD

解析：这些都是场效应管相对其他器件的优点。

7.半导体中载流子的散射机制有（）

A.电离杂质散射B.晶格振动散射C.表面散射D.位错散射

答案：ABCD

解析：这些都是影响半导体载流子运动的散射机制。

8.下列关于本征半导体的说法正确的是（）

A.内部存在电子-空穴对B.导电能力较弱C.电导率随温度升高而增大D.没有杂质

答案：ABCD

解析：本征半导体无杂质，有少量电子-空穴对，导电弱，电导率随温度升高而增大。

9.影响PN结反向电流的因素有（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.外加电压

答案：AB

解析：反向电流主要受温度和杂质浓度影响，光照和外加电压对反向电流影响较小。

10.三极管放大作用的外部条件是（）

A.发射结正偏B.集电结正偏C.发射结反偏D.集电结反偏

答案：AD

解析：发射结正偏、集电结反偏是三极管实现放大作用的外部条件。

三、判断题（每题2