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深度解读：2025年3nm以下GAAFET工艺研发技术壁垒.docx

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    深度解读：2025年3nm以下GAAFET工艺研发技术壁垒

    一、深度解读：2025年3nm以下GAAFET工艺研发技术壁垒

    1.材料科学挑战：探索新型半导体材料

    1.1材料选择与性能优化

    1.2材料制备工艺

    1.3材料兼容性与集成性

    1.4材料成本控制

    1.5材料研发与创新

    2.器件结构创新：突破传统FinFET的局限

    2.1FinFET结构的演进

    2.2多栅FinFET技术

    2.3纳米线FET技术

    2.4垂直FinFET技术

    2.5结构创新与性能提升

    2.6结构创新与工艺挑战

    2.7结构创新与产业链协同

    3.制造工艺挑战：光刻、刻蚀与离子注入

    3.1光刻技术的

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