HI3519V101与HI3516AV200 DDR信号性测试报告.pdfVIP

HI3519V101与HI3516AV200 DDR信号性测试报告.pdf

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SystemHistory

DateContentsRemarks

Thetestisconductedbyfollowingthe

2016-11-15

LPDDR31600MHzAC150standard.

Note:ThetestresultsinthisreportarebasedonHiSilicontestsamp,andcannot

recethoseconductedbyusers.Thetestresultsinthisreportareonlyprovidedfor

reference.

系统

Date内容评论

测试是通过遵循

2016‑11‑15

LPDDR31600MHzAC150。

注意:中的测试结果基于HISILICON测试样本,无法替代用户进行的样本。该

报告中的测试结果仅参考。

Information

ChipsetHi3519V101

BoardNameHi3519V101DMEBPLUSVER.B

DRAMPartNumberMicron/eMCP_MT29TZZZ8D5JKEZB-107W.95Q

OscilloscopeDSA72004CDPX

TemperatureAmbienttemperature

DRAMOp

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