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sulateOSFETS

DFNWB2×2-6LPlastic-EncapM

CJM3005N-ChannelMOSFET

V(BR)DSSRDS(on)TYPID

DFNWB2×2-6L

32mΩ@10V

30V35mΩ@4.5V5A

42mΩ@2.5V

FEATUREAPPLICATION

TrenchFETPowerMOSFETIdealforLoadSwithandBattery

LowRDS(ON)ProtectionApplications

TypicalESDProtection

MARKING

EquivalentCircuit

3005=PartNo.

3005

Soliddot=Pin1indicator.

XX=Code.

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(Ta=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS30V

Gate-SourceVoltageVGS±10V

ContinuousDrainCurrentID5A

PulsedDrainCurrentIDM*20A

ThermalResistancefromJunctiontoAmbientRθJA

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