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2025年光电子技术与应用考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.激光产生的必要条件不包括以下哪一项？

A.粒子数反转分布

B.光学谐振腔

C.泵浦源提供能量

D.自发辐射占主导

答案：D

解析：激光产生需要三个必要条件：粒子数反转分布（实现受激辐射占优）、光学谐振腔（选模与反馈）、泵浦源（提供能量激励）。自发辐射是普通光源的特征，激光依赖受激辐射。

2.半导体激光器（LD）与发光二极管（LED）的核心区别在于：

A.材料不同

B.是否存在受激辐射

C.输出光的方向性

D.工作温度范围

答案：B

解析：LD通过受激辐射实现激光输出，具有阈值电流和相干性；LED仅通过自发辐射发光，无阈值且相干性差。两者材料可能相同（如GaAs），方向性和温度范围是结果而非核心区别。

3.电光调制器中，半波电压Vπ的定义是：

A.使输出光强调制深度达到50%所需的电压

B.使光相位变化π弧度所需的电压

C.使光偏振态旋转90°所需的电压

D.使光强完全消光所需的电压

答案：B

解析：电光调制中，外加电压引起晶体折射率变化，导致光相位变化。半波电压Vπ是使相位变化π所需的电压，此时光强调制深度达到100%（从最大到最小）。

4.光纤的数值孔径（NA）主要由以下哪组参数决定？

A.纤芯折射率n1和包层折射率n2

B.纤芯直径和工作波长

C.光纤长度和损耗系数

D.模场直径和色散系数

答案：A

解析：数值孔径NA=√(n12-n22)，反映光纤捕捉光的能力，与纤芯和包层的折射率差直接相关。

5.PIN光电二极管中，I层（本征层）的主要作用是：

A.减少结电容，提高响应速度

B.增加掺杂浓度，提高量子效率

C.降低暗电流，提高信噪比

D.增强光吸收，扩展响应波长

答案：A

解析：PIN二极管的I层为高阻本征层，加宽耗尽区，减少结电容（C=εA/d，d增大则C减小），从而提高响应速度；同时I层厚度增加可增强长波长光吸收，但主要目的是降低电容。

6.以下哪种器件属于外调制器？

A.直接调制的半导体激光器

B.马赫-曾德尔（MZM）电光调制器

C.垂直腔面发射激光器（VCSEL）

D.雪崩光电二极管（APD）

答案：B

解析：外调制器独立于光源，通过外加电场改变光的相位或振幅（如MZM）；直接调制是通过电流调制激光器输出，属于内调制。

7.光纤的色散不包括：

A.模式色散

B.材料色散

C.波导色散

D.偏振模色散

答案：无（注：原题可能存在设计问题，实际光纤色散包括模式色散、材料色散、波导色散，偏振模色散属于模式色散的一种特殊形式）。若选项为“D.吸收色散”，则答案为D。本题假设正确选项为D（偏振模色散属于模式色散的细分），实际需根据题目设定调整，此处按常规分类，正确选项应为无，可能题目存在笔误，暂修正为“吸收色散”作为错误选项，答案选D。

8.激光谐振腔的纵模数量由以下哪个参数决定？

A.腔长L和工作波长λ

B.腔的损耗系数

C.激活介质的增益带宽

D.镜面反射率

答案：A

解析：纵模频率间隔Δν=c/(2nL)，纵模数量N=Δν_gain/Δν（Δν_gain为增益带宽），但直接决定因素是腔长和波长（n为介质折射率）。

9.雪崩光电二极管（APD）的主要优点是：

A.低噪声

B.高响应速度

C.内部增益，提高灵敏度

D.宽光谱响应

答案：C

解析：APD通过雪崩倍增效应实现内部电流增益（增益可达10-100），提高弱光探测灵敏度；但噪声（倍增噪声）高于PIN二极管。

10.以下光电子器件中，属于相干探测器件的是：

A.光伏型探测器

B.光热型探测器

C.外差探测器

D.光电导型探测器

答案：C

解析：相干探测（外差探测）利用信号光与本振光的干涉，需要探测器响应拍频信号；光伏型、光电导型属于直接探测器件，光热型响应光功率变化，无相干性。

二、填空题（每空2分，共20分）

1.激光的三个基本特性是______、______、______。

答案：高相干性、高方向性、高亮度（或单色性）

2.半导体激光器的阈值电流密度Jth与温度T的关系可表示为Jth(T)=J0exp(T/T0)，其中T0称为______，其值越大，激光器的温度特性越______（填“好”或“差”）。

答案：特征温度；好

3.光纤的损耗主要包括______、______和___