半导体物理期末试卷内容概述与题型分析.pdfVIP

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  • 2025-09-18 发布于北京
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半导体物理期末试卷内容概述与题型分析.pdf

06年期末试卷

一、(20分)

1.势垒(4分)

2.晶格和单胞(4分)

3.杂质饱和电离(4分)

4.非平衡载流子(4分)

5.本征激发(4分)

二、问答(25分)

1.什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?

试定性说明之(5分)

2、何谓杂质补偿?杂质补偿的意义何在?

3.说明中电阻率随温度升高的变化规律。(5分)

4.试说明pn结的整流特性及电容效应。(5分)

5什么是功函数?哪些因数影响了的功函数?什么是接触势

差?

三、计算

1若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×1010-316-3

cm和6.8×10cm,

试分别求出其中的空穴的浓度和能级的相对位置,并判断样品的

导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016

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