CN119413870B 基于中空限域结构局部酸化的左旋多巴特异性传感电极、制备方法及应用 (杭州师范大学).pdfVIP

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  • 2025-09-18 发布于重庆
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CN119413870B 基于中空限域结构局部酸化的左旋多巴特异性传感电极、制备方法及应用 (杭州师范大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119413870B

(45)授权公告日2025.05.02

(21)申请号202510013722.9(56)对比文件

(22)申请日2025.01.06

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