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单晶硅的临界切削深度研究现状文献综述

为了实现单晶硅的低裂纹损伤切片加工，得到具有高表面质量的单晶硅晶片，塑性域材料去除必须为单晶硅切片表面创成磨粒的主要材料去除模式。在对金刚石线锯的切片加工过程进行分析时，材料的脆塑转变是其中涉及的关键问题，临界切削深度通常作为材料去除模式的判断标准。因此，针对单晶硅的临界切削深度问题，学者们展开了诸多探究。

1981年，Lawn[24]对单晶硅做了大量的压痕实验来探究脆性材料塑性域加工的可能，结果表明，开展压痕实验时，在极小的印压尺度下，随着压头在试件表面作划痕运动，其表面形成的凹槽形貌较为规则，凹槽外部有材料隆起且没有裂纹生成，表明单晶