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第1页,共28页,星期日,2025年,2月5日谐振电路串联谐振电路:谐振器功率:其中:电阻功耗:磁场储能:第2页,共28页,星期日,2025年,2月5日串联谐振电路continue1电场储能:总功率:输入阻抗:谐振频率:平均电场储能=磁场储能第3页,共28页,星期日,2025年,2月5日品质因素:在谐振频率附近:可用来分析分布元件的等效电路。第4页,共28页,星期日,2025年,2月5日可以将有耗谐振器当成具有复谐振频率的器件,令:R=0即可得到无耗等效串连谐振器的输入阻抗:由此可得有耗谐振腔:(还原为7.1-10a)——为我们的实际测试提供了一个有效方法:一般器件损耗很小;Q可用微扰法求出:先求无耗解;再用复频率带入解出损耗影响:第5页,共28页,星期日,2025年,2月5日半功率带宽如图(b)画出了阻抗随频率变化的曲线。当:时,传送给电路的实功率等于谐振时功率的一半。在上边频于是:第6页,共28页,星期日,2025年,2月5日并联谐振电路并联谐振电路如图,输入电抗为:谐振器功率:第7页,共28页,星期日,2025年,2月5日其中电阻功率为:电场及磁场储能分别为:复合功率为:(与串连相同)第8页,共28页,星期日,2025年,2月5日品质因数:由此式可见,并联谐振电路的Q值随R增加。在谐振点附近:设w=w+Dw则:第9页,共28页,星期日,2025年,2月5日有载Q值和外部Q值假定谐振器无耗上式可简化为:结果与串连谐振相同。第10页,共28页,星期日,2025年,2月5日有载Q值与外部Q值上面讨论的Q值都没涉及外部电路(无载)实际情况随着负载接入,整个电路的Q要下降:与负载耦合后的是有载Q?表示为QL(总);所接外部负载定义的Q记为Qe:且有载Q为:第11页,共28页,星期日,2025年,2月5日传输线谐振器本质:不同长度端接(O/S)TEM线类型:同轴线、带状线、微带线的谐振器分析:须考虑有耗线的结构结构类型:l/2(S/O)l/4(O)三种。第12页,共28页,星期日,2025年,2月5日1。短路线型谐振器分析终端有耗线:设线长为l=nl0/2(n=1,2,...)一般损耗很小:假定:(谐振点附近)则:若第13页,共28页,星期日,2025年,2月5日1。短路线型谐振器(续一)上式中vp为相速度在谐振点:从而其正切:带入阻抗表示式有:对比:第14页,共28页,星期日,2025年,2月5日1。短路线型谐振器(续二)从而可以得到等效电路参量:Q值随传输线的衰减增加而减小有:第15页,共28页,星期日,2025年,2月5日例题:7。3-1有一銅制同轴线谐振器,内外导体的半径分别为1mm和4mm,谐振频率为5GHz,试计算空气填充和聚四氟乙烯填充时的Q值。解:铜材料:空气填充时:第16页,共28页,星期日,2025年,2月5日例题:7。3-1(续一)聚四氟乙烯填充时:(导体衰减明显增加)介质衰减:(空气没有的衰减)第17页,共28页,星期日,2025年,2月5日例题:7。3-1(续一)总体衰减对比:显而易见,填充介质的引入会增加导体和介质损耗器件的Q值也随之下降。改进:镀银、采用高性能介电材料。第18页,共28页,星期日,2025年,2月5日2。p/4短路线型谐振器分析终端有耗线(图形相同)设线长为l=(2n-1)l0/4(n=1,2,...)短路线并联谐振器:同样:(谐振点附近)一般损耗很小:假定:l=(2n-1)l0/4第19页,共28页,星期日,2025年,2月5日则:2。p/4短路线型谐振器(续一)其余切:第20页,共28页,星期日,2025年,2月5日
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