一种用于半导体生产拉晶管底托实用新型专利.pdfVIP

一种用于半导体生产拉晶管底托实用新型专利.pdf

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(19)人民国家局

(12)实用新型专利

(10)公告号CN204058653U

(45)公告日2014.12.31

(21)申请号201420540542.3

(22)申请日2014.09.20

(73)专利权人鸿昌电子

地址461500省许昌葛市魏武大道

鸿昌电子

(72)发明人

占超

陈永平

(51)Int.Cl.

C30B15/00(2006.01)

权利要求书1页说明书1页附图1页

(54)实用新型名称

一种拉晶管底托

(57)

本实用新型涉及生产技术领域的工

具,名称是一种拉晶管底托,它包括底托本体,底托

本体上面具有放置拉晶管的圆弧形凹槽,底托本体

是耐火材料制成的,所述的底托本体下面有上下或

/和左右贯通的通孔,所述的底托本体是碳化硅制

成的,这样的拉晶管底托可以帮助制成的晶棒变形

较少、利用率较高的优点;所述的底托本体下面有

上下或/和左右贯通的孔,具有热传递效率高的

优点,所述的底托本体是碳化硅制成的,能够保证

其具有较高的高温强度。

U

3

5

6

8

5

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4

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2

N

C

(19)StateIntellectualPropertyAdministrationof

thePeoplesRlicof

(12)Utilitymodelpatent

(45)Authorizationannouncement

date2014.12.31

(21)ApplicationNo.

201420540542.3(22)Application

date2014.09.20

(73)PatentownerHenanHongchangElectronicsCo.,Ltd.

Address461500WeiwuAvenue,ChanggeCity,XuchangCity,

HenanProvinceHenanHongchangElectronicsCo.,Ltd.(72)

InventorChenLeiLiuShuanhongZhaoLipingQianJunyou

Z

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