大功率LED封装技术.pptxVIP

2.5大功率LED封装技术

内容一、引言二、L型电极的大功率LED芯片的封装三、V型电极的大功率LED芯片的封装四、V型电极的LED芯片倒装封装五、集成LED的封装六、大功率LED封装的注意事项七、大功率LED产品实例

引言LED发展方向同LED芯片的发展方向：大功率高效率

大功率LED封装关键技术引言

二、L型电极的大功率LED芯片的封装

美国GREE公司的1W大功率芯片（L型电极），它的上下各有一个电极。其碳化硅（SiC）衬底的底层首先镀一层金属，如金锡合金（一般做芯片的厂家已镀好），然后在热沉上也同样镀一层金锡合金。将LED芯片底座上的金属和热沉上的金属熔合在一起，共晶焊接。L型电极的大功率LED芯片的封装共晶焊接概念

21力学：一定要注意当LED芯片与热沉一起加热时，二者接触要好，最好二者之间加有一定压力，而且二者接触面一定要受力均匀，两面平衡。电学：热沉也成为一个电极，接热沉与散热片时要注意导热同时要绝缘。材料学：控制好金和锡的比例，这样焊接效果才好。3二、L型电极的大功率LED芯片的封装共晶焊接封装注意事项

共晶点概念加热温度也称为共晶点。温度的多少要根据金和锡的比例来定：AuSn（金80%，锡20%）：共晶点为282℃，加热时间控制在几秒钟之内。AuSn（金10%，锡90%）：共晶点为217℃，加热时间控制在几秒钟之内。AgSn（银3.5%，锡96.5%）：共晶点为232℃，加热时间控制在几秒钟之内。二、L型电极的大功率LED芯片的封装

三、V型电极的大功率LED芯片的封装

电学：其中两个电极的p极和n极都在同一面，这种LED芯片的衬底通常是绝缘体（如Al2O3蓝宝石）光学：而且在绝缘体的底层外壳上一般镀有一层光反射层，可以使衬底的光反射回来，从而让光线从正面射出，以提高光效。1V型电极的大功率LED芯片的封装2V型电极的特点

机械：这种封装应在绝缘体下表面用一种导热（绝缘）胶把LED芯片与热沉粘合。电学：上面把两个电极用金丝焊出。特别要注意大功率LED通过的电流大，1WLED的电流一般为350mA，所以要用粗金丝。不过有时粗金丝不适用于焊线机，也可以并联焊两根金丝，这样使每根金丝通过的电流减少。V型电极的大功率LED芯片的封装V型电极LED封装注意事项

热学：这种芯片的烘干温度是100~150℃，时间一般是60~90分钟。光学：发热量比较大，可以在LED芯片上盖一层硅凝胶，而不可用环氧树脂。这样做一方面可防止金丝热胀冷缩与环氧树脂不一致而被拉断；另一方面防止因温度高而使环氧树脂变黄变污，结果透光性能不好。所以在制作白光LED时应用硅凝胶调和荧光粉。如果LED芯片底层已镀上金锡合金，也可用第一种办法来做。V型电极的大功率LED芯片的封装V型电极LED封装注意事项

四、V型电极的LED芯片倒装封装传统正装的LED

传统正装的LED问题芯片结构透明电极层：不可缺少，因为p型GaN掺杂困难。太薄影响扩散电流，太厚对光的吸收多，金属透明电极要吸收30%~40%的光。衬底：导热系统为35W/(m·K)蓝宝石电极和引线：挡住部分光线出光。结论：这种结构光学特性、热学性能都不是最优的。四、V型电极的LED芯片倒装封装

问题的解决——倒装芯片美国LumiledsLighting公司发明了Flipchip（倒装芯片）技术V型电极的LED芯片倒装封装

蓝宝石透过率V型电极的LED芯片倒装封装

芯片：制备具有适合共晶焊接的大尺寸LED芯片底板：制备相应尺寸的硅底板，并在其上制作共晶焊接电极的金导电层和引出导电层两者连接：利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊在一起。AV型电极的LED芯片倒装封装B倒装芯片封装方法简介

生产芯片的厂家：市场上大多数产品已经倒装焊接好的，并装上防静电保护二极管。封装厂家：将硅底板与热沉用导热胶粘在一起，两个电极分别用一根φ3mil金丝或两根φ1mil金丝。01V型电极的LED芯片倒装封装02上游中游产业合作

电学：由于LED是W级芯片，那么应该采用直径多大的金丝才合适？热学：怎样把倒装好的芯片固定在热沉上，是用导热胶还是用共晶焊接？光学：考虑在热沉上制作一个聚光杯，把芯片发出的光能聚集成光束。V型电极的LED芯片倒装封装倒装芯片封装考虑的问题

分类依据：底板的不同硅底板倒装法陶瓷底板倒装法（步骤同上，只是将底板换为陶瓷的。即芯片，底板，连接）V型电极的LED芯片倒装封装市场上常用的两种倒装法

五、集成LED的封装

获得大功率的方法单个大功率芯片封装多个小功率芯片封装、多个大功率芯片封装（食人鱼LED是一种）——集成多个封装好的LED再组合集成LED的封装0102集成LED的封装思想

亚克力Acrylic(丙烯酸的)：就是有机玻璃，聚甲基丙烯酸甲酯，透