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氧化锌基薄膜的光电性能调控及其在紫外探测器中的创新应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，光电领域在现代社会中扮演着日益重要的角色，从信息存储与传输到环境监测、生物医学等多个领域都离不开光电技术的支持。在众多光电材料中，氧化锌（ZnO）基薄膜以其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了研究的热点之一。

ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，室温下的禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV，这使其在光电器件应用中展现出许多优势。首先，较大的禁带宽度决定了ZnO基薄膜对紫外光具有良好的吸收和发射特性，在紫外探测器、紫外发光二极管等光电器件中具有广阔的应用