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金属Hf制备Hf02技术
张伟丽，范瑞瑛，黄建兵，赵元安，邵建达，范正修
(f：海光机所光学薄膜技术研究。j发展中心．f：海．201800)
摘要利用离了束辅助蒸发以及双离了束反心溅射沉积技术通过Hf制嵛J，Hf02薄膜，对两种T
艺下制稀的HID2薄膜的光学、表面形貌和激光损伤特性进行J7研究，并oj常用的I【l了束蒸发制
备的Hf02薄膜的相关特性进行J，比较。实验结果表I则，用金属Hf作为初始利料反心沉积的Hf02
薄膜具自‘较·面的激光损伤闽值．JL中离了束辅助蒸发技术史力¨适用十一面功率激光系统中尤JC足神
光系统中人八寸兀件的薄膜制备。
关键词余属HfHf02薄膜激光损伤闽值
一、引言
住光学薄膜材料中，氧化铪(HfO，)足一种常见的薄膜材料，它具有从紫外剑红外较
la
宽的透明区域(0。22～12
m)，易丁：蒸发，同时Hf02还具有高的折射率和较高的抗激光损
伴随着3．8％的体积变化，同时可能会产生一些颗粒。在热蒸发过科中，带有水冷的坩埚底
部温度约为1
另一一方面，川丁．镀膜州的Hf02并1卜完全致密的体材料，而是经过高濡高压压制而成的块料，
其中必然存在一些带有空气的孔隙。在电子束蒸发过群中。急遽的热鼙会使孔隙中的空气
喷射山米从米产生一些小颗粒。若这些颗粒喷射剑基片上容易在所镀制薄膜样晶中形成+1，
瘤缺陷从而降低薄膜的抗激光损伤能力【3】。金属Hf不存在由丁．温度引起的相变现象，若川
金属Hf作为初始材料米制备HfOz薄膜将会减少’{了瘤缺陷密度，从而提高抗激光损伤能力。
本文采川离子辅助蒸发以及舣离子束反戍溅射沉积技术通过金属Hf制备Hf02薄膜，并对
其光学特性、表面形貌以及抗激光损伤性能做了一系列的研究，还与电子束蒸发Hf02膜料
所制备的Hf02薄膜做了对比。
二、实验条件
1．离子束辅助蒸发技术
子源参数：刚极电压、刚极电流、充02鼙，镀膜真空度以及镀膜时真空室的烘烤温度等。
为3．5A。I：作时真空室压强为2×1
作为对比，我们还采川相同的．I：作压强雨f烘烤温度通过电子束蒸发(不加离子辅助)制各
了H幻2薄膜。
—．291——
2．舣离子束反应溅射技术
80℃，12cm的离子源的充氧鹫为14sccm。
S3。
三、实验结果及分析
1．光谱特性
以及折射率特性曲线，图3所示的是S3样黼退火前后的光谱特性曲线。
l!fIl。Sl和S2的光谱特性和折射牢特性fm线
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幽2，S3的光滑特忡和折射牢特性帅线
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