晶体管的高频等效电路.pptxVIP

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引言从晶体管的物理结构出发，考虑发射结和集电结电容的影响，就可以得到在高频信号作用下的物理模型，称为混合?模型。由于晶体管的混合?模型与第二章介绍的h参数模型在低频信号作用下具有一致性，因此，可用h参数来计算混合?模型中的某些参数，并用于高频信号作用下的电路分析。前言本页完返回

晶体管的高频等效模型一、晶体管完整的混合?模型

晶体管结构示意图晶体管结构示意图继续本页完一、晶体管完整的混合?模型rbbrb’e’Cb’e’cebbrc为集电区体电阻，数值很小可忽略。集电结电容,数值很小。(C?)Cb’c’rb’c’为集电结电阻。rbb’为基区体电阻。rb’e’为发射结电阻。re为发射区体电阻，数值很小可忽略。发射结电容,数值很小。(C?)NNPrb’c’

晶体管的高频等效模型一、晶体管完整的混合?模型晶体管的h参数等效电路继续本页完为了研究晶体管的电容效应对频率的影响。先画出晶体管h参数等效电路.rbbrb’e’cebb(C?)(C?)NNPrb’c’rbb’和rb’e’的串联值就是h参数等效电路中的晶体管输入电阻rbe。晶体管结构示意图借鉴h参数绘出等效电路考虑到集电结电阻rb’c’横跨cb’间，亦把此电阻画在图上。rb’c’bc+++rbbrb’e’rceUbe·Ub’e·Uce·Ib·?Ib’·eIc·Ib’·b因为有rb’c’的分流作用，此时受控电流源不受Ib控制而受Ib’控制，分析起来不大方便，所以也改写为受Ub’e’控制，成为压控电流源，控制能力也由?改为跨导gm。

晶体管的高频等效模型一、晶体管完整的混合?模型考虑跨导的h参数等效电路继续本页完为了研究晶体管的电容效应对频率的影响。先画出晶体管h参数等效电路.rbbrb’e’cebb(C?)(C?)NNPrb’c’晶体管结构示意图借鉴h参数绘出等效电路考虑到集电结电阻rb’c’横跨cb’间，亦把此电阻画在图上。因为有rb’c’的分流作用，此时受控电流源不受Ib控制而受Ib’控制，分析起来不大方便，所以也改写为受Ub’e’控制，成为压控电流源，控制能力也由?改为跨导gm。bc+++rbbrb’e’rceUbe·Ub’e·Uce·Ib·eIc·brb’c’gmUb’e·

晶体管的高频等效模型考虑极间电容后的混合?模型C?横跨在集电结电阻rb’c’两端。继续本页完rbbrb’e’cebb(C?)NNPrb’c’这个电路就是晶体管混合?模型。晶体管结构示意图借鉴h参数绘出等效电路bc+++rbbrb’e’rceUbe·Ub’e·Uce·Ib·eIc·b因为有rb’c’的分流作用，此时受控电流源不受Ib控制而受Ib’控制，分析起来不大方便，所以也改写为受Ub’e’控制，成为压控电流源，控制能力也由?改为跨导gm。gmUb’e·C?C?横跨在发射结电阻rb’e’两端。(C?)rb’c’C?一、晶体管完整的混合?模型

晶体管的高频等效模型二、晶体管简化的混合?模型继续本页完bc+++rbbrb’e’rceUbe·Ub’e·Uce·Ib·e·b由h参数等效电路知，rce非常大，对Ic的分流作用很小，可忽略。gmUb’e·C?rb’c’C?一、晶体管完整的混合?模型二、晶体管简化的混合?模型晶体管完整的混合?模型Icrb’c’是集电结反偏时的电阻，其阻抗远大于C?的容抗，亦可看成开路忽略其作用。b+++rbbrb’e’Ube·Ub’e·Uce·Ib··bgmUb’e·C?C?IccIC?·简化后晶体管的混合?模型

晶体管的高频等效模型用密勒转换把C?拆分为C?’和C?’’继续本页完本等效电路由于C?横跨在输入和输出之间，令输入与输出相互牵连，使得对电路的分析变得十分复杂，应想法把晶体管的输入和输出回路相互独立，以便分析。一、晶体管完整的混合?模型二、晶体管简化的混合?模型采用密勒转换把C?拆分为两个电容C?’和C?’’，分别与输入和输出回路并接。(推导过程亦可参考教科书P214。)b+++rbbrb’e’Ube·Ub’e·Uce·Ib··bgmUb’e·C?C?IccIC?·简化后晶体管的混合?模型C?’b+++rbbrb’e’Ube·Ub’e·Uce·Ib··bgmUb’e·C?IccC?’’

晶体管的高频等效模型C?’和C?’’与C?的关系继续本等效电路由于C?横跨在输入和输出之间，令输入与输出相互牵连，使得对电路的分析变得十