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通信用高频开关电源技术发展综述

0引言

通信业的迅速发展极推动了通信电源的发展，开关电源在通信系统中处于地位，并已成为现

代通信供电系统的主流。在通信领域中，通常将高频整流器称为一次电源，而将直流-直流(DC/DC)变换器

称为二次电源。随着大规模的发展，要求电源模块实现小型化，因而需要不断提高开关频率和采

用新的电路拓扑结构，这就对高频开关电源技术

提出了更高的要求。

1通信用高频开关电源技术的发展

通信用高频开关电源技术的发展基本上可以体现在几个方面：变换器拓扑、建模与仿真、数字化控制

及磁集成。

1.1变换器拓扑

软开关技术、功率因数校正技术及多电平技术是近年来变换器拓扑方面的热点。采用软开关技术可以

有效的降低开关损耗和开关应力，有助于变换器效率的提高；采用PFC技术可以提高AC/DC变换器的输

入功率因数，减少对电网的谐波污染；而多电平技术主要应用在通信电源三相输入变换器中，可以有效降

低开关管的电压应力。同时由于输入电压高，采用适当的软开关技术以降低开关损耗，是多电平技术将来

的重要研究方向。

为了降低变换器的体积，需要提高开关频率而实现高的功率密度，必须使用较小尺寸的磁性材料及被

动元件，但是提高频率将使MOSFET的开关损耗与驱动损耗大幅度增加，而软开关技术的应用可以降低

开关损耗。目前的通信电源工程应用最为广泛的是有源钳位ZVS技术、上世纪90年代初诞生的ZVS移相

全桥技术及90年代后期同步整流技术。

1.1.1ZVS有源钳位

有源箝位技术历经三代，且都申报了专利。第一代为VICOR公司的有源箝位ZVS技术，将DC/DC的

工作频率提高到1MHZ，功率密度接近200W/in3，然而其转换效率未超过90%。为了降低第一代有源箝

位技术的成本，IPD公司申报了第二代有源箝位技术专利，其采用P沟道MOSFET，并在变压器二次侧用

于forward电路拓扑的有源箝位，这使产品成本减低很多。但这种方法形成的MOSFET的零电压开关

（ZVS）边界条件较窄，而且PMOS工作频率也不理想。为了让磁能在磁芯复位时不白白消耗掉，一位美籍

工程师于2001年申请了第三代有源箝位技术专利，其特点是在第二代有源箝位的基础上将磁芯复位

时释放出的能量转送至负载，所以实现了更高的转换效率。它共有三个电路方案：其中一个方案可以采用

N沟MOSFET，因而工作频率可以更高，采用该技术可以将ZVS软开关、同步整流技术都结合在一起，因而

其实现了高达92%的效率及250W/in3以上的功率密度。

1.1.2ZVS移相全桥

从20世纪90年代中期，ZVS移相全桥软开关技术已广泛地应用于中、大功率电源领域。该项技术

在MOSFET的开关速度不太理想时，对变换器效率的提了很大作用，但其缺点也不少。第一个缺点

是增加一个谐振电感，其导致一定的体积与损耗，并且谐振电感的电气参数需要保持一致性，这在制造过

Asummaryofthedevelopmentof

high-frequencyswitchingpowersupply

technologyforcommunications

0引言

Therapiddevelopmentofthecommunicationsindustryhasgreatlypromotedthedevelopmentofcommunicationspower

s.Switchingpowersoccupiesacorepositionincommunicationsystemsandhavebecome