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Si基LED材料位错特性及器件钝化技术的协同优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球积极推动节能减排和可持续发展的大背景下，高效节能的照明技术成为了研究的焦点。半导体发光二极管（LED）作为新一代的照明光源，凭借其能耗低、寿命长、响应速度快、环保无污染等诸多优势，在通用照明、汽车照明、显示背光源、景观照明等领域得到了广泛的应用，正逐渐取代传统的照明光源，如白炽灯、荧光灯等，引发了照明领域的一场深刻变革。

硅（Si）基LED材料由于Si衬底具有成本低廉、资源丰富、工艺成熟、热导率较高以及与集成电路工艺兼容性良好等显著优点，在LED产业中展现出了巨大的发展潜力。使用Si衬底能够大幅降低LED的生产成本，这对于推动LED的大规模应用，尤其是在通用照明领域的普及具有至关重要的意义。而且Si基LED可以借助成熟的Si集成电路工艺，实现芯片的小型化和集成化，为开发多功能、高性能的光电器件开辟了新的道路。

然而，Si基LED材料在实际应用中仍面临着一些亟待解决的关键问题。其中，位错是影响Si基LED性能的重要因素之一。由于Si与氮化镓（GaN）等发光材料之间存在较大的晶格失配和热失配，在生长过程中极易产生高密度的位错。这些位错会成为非辐射复合中心，导致载流子的复合几率增加，从而降低LED的内量子效率，使发光效率大幅下降。位错还可能引起应力集中，导致材料的结构稳定性变差，影响器件的可靠性和使用寿命。

器件钝化对于Si基LED的性能同样起着关键作用。在LED芯片的制备和使用过程中，芯片表面容易受到外界环境的影响，如水分、氧气、杂质等的侵蚀，这会导致表面漏电、腐蚀等问题，严重影响器件的性能和可靠性。通过对器件进行钝化处理，可以在芯片表面形成一层保护膜，有效地隔离外界环境的干扰，降低表面态密度，减少漏电流，提高器件的稳定性和可靠性。钝化层还可以改善芯片的光学性能，提高光输出效率。因此，深入研究Si基LED材料的位错与器件钝化问题，对于提高Si基LED的性能、降低成本、推动其广泛应用具有重要的理论和实际意义。它不仅有助于解决当前LED产业发展中的技术瓶颈，还能为未来光电器件的设计和制备提供新的思路和方法，促进整个光电子领域的技术进步。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队和企业对Si基LED材料位错与器件钝化进行了大量深入研究。在Si基LED材料位错研究方面，国外一些知名科研机构如美国的麻省理工学院（MIT）、德国的马克斯?普朗克学会等，通过优化外延生长工艺，如改进金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术中的生长温度、气体流量等参数，在一定程度上降低了位错密度。他们还探索了采用缓冲层来缓解晶格失配和热失配，像使用AlN、AlGaN多层缓冲层，取得了较好的效果。国内的研究机构如中国科学院半导体研究所、南昌大学等也在这方面取得了显著成果。通过引入新型的缓冲层结构以及采用原位监测技术实时控制生长过程，有效改善了Si与GaN之间的失配问题，降低了位错密度，提升了材料的晶体质量。

对于Si基LED器件钝化，国外的一些大型半导体企业如日亚化学、科锐（Cree）等，在钝化材料和工艺上进行了大量研发。他们采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术生长SiN、SiO?等钝化膜，有效提高了器件的可靠性和稳定性。国内的研究团队也在积极探索新型钝化材料和工艺，如研究SiON等复合钝化膜对器件性能的影响，发现侧边的SiON钝化层可有效抑制有源区内非辐射复合缺陷的增加，降低器件老化后的漏电流和光衰。

尽管国内外在Si基LED材料位错与器件钝化方面取得了不少成果，但仍存在一些不足之处。在降低位错密度方面，目前的方法虽然能够一定程度上减少位错，但还无法完全消除，并且工艺复杂，成本较高。在器件钝化方面，现有钝化膜在长期使用过程中，仍可能出现老化、开裂等问题，影响器件的长期可靠性。此外，对于位错与器件钝化之间的相互作用机制，目前的研究还不够深入，需要进一步探索。

1.3研究内容与方法

本论文围绕Si基LED材料位错与器件钝化展开深入研究，主要内容包括：一是系统研究Si基LED材料生长过程中位错的产生机制和演变规律。通过理论分析和实验研究，深入探讨晶格失配、热失配、生长工艺参数等因素对位错形成和发展的影响，为位错控制提供理论依据。二是探索有效的位错控制方法，尝试优化外延生长工艺参数，如生长温度、压力、气体流量等，研究不同缓冲层结构和材料对降低位错密度的作用，通过对比实验，筛选出最佳的位错控制方案。三是研究不同钝化材料和工艺对Si基LED器件性能的影响。采用PECVD、磁控溅射等技术制备SiN、S