石墨烯与金属共掺杂对MgB₂超导性能的协同优化研究.docxVIP

石墨烯与金属共掺杂对MgB?超导性能的协同优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

超导材料，作为在特定低温条件下电阻能骤降至零且展现出完全抗磁性的特殊材料，自1911年被荷兰物理学家海克?卡末林?昂内斯发现以来，便在全球范围内引发了广泛而深入的研究热潮，成为凝聚态物理领域的核心研究对象之一。其零电阻特性能够实现电流的无损耗传输，为降低能源损耗、提升能源利用效率带来了前所未有的机遇；完全抗磁性则使其在磁悬浮、超导储能等领域展现出独特的应用潜力。

在众多超导材料中，MgB?于2001年被发现，凭借其相对较高的临界温度（约39K）、简单的晶体结构、较低的各向异性以及较为低廉的原材料成本等显著优势，迅速在超导领域崭露头角，成为极具应用前景的超导材料之一。MgB?在20K-30K温区以及中低磁场条件下，具备良好的应用潜力，如在超导磁储能、核磁共振成像等领域已展现出一定的应用价值。然而，MgB?超导材料在实际应用中仍面临诸多挑战，其本征钉扎强度较弱，导致临界电流密度在磁场中衰减较快，极大地限制了其在高场强、大电流等应用场景中的推广与应用。

为了提升MgB?的超导性能，研究人员进行了大量探索，掺杂改性是一种有效的方法。石墨烯作为一种具有独特二维结构和优异电学、力学、热学性能的新型材料，为MgB?超导性能的提升提供了新的途径。同时，金属掺杂也能在一定程度上改善MgB?的性能。但目前关于石墨烯与金属共同掺杂对MgB?超导性能影响的研究还相对较少，深入研究二者共同掺杂的协同效应，对于揭示MgB?超导性能提升的内在机制，开发高性能的MgB?超导材料具有重要的理论与实际意义。通过优化掺杂工艺，有望制备出在更高磁场下仍能保持高临界电流密度的MgB?超导材料，从而推动其在超导电力、超导磁体等领域的广泛应用，促进相关产业的发展。

1.2MgB?超导材料概述

2001年，MgB?超导材料被发现，这一发现打破了传统超导材料研究的僵局，为超导领域注入了新的活力。在其被发现之前，超导材料的研究主要集中在传统低温超导材料和铜氧化物高温超导材料上。传统低温超导材料虽然性能相对稳定，但临界温度极低，需要液氦等昂贵的冷却介质来维持超导态，这极大地限制了其应用范围和成本效益；铜氧化物高温超导材料虽然临界温度有所提高，但晶体结构复杂，制备工艺难度大，且存在各向异性等问题，也给其大规模应用带来了挑战。MgB?的出现，以其相对较高的临界温度（约39K），相较于传统低温超导材料，无需使用液氦冷却，可在液氢环境下工作，大大降低了制冷成本；同时，其简单的晶体结构和较低的各向异性，使其在制备工艺和性能稳定性方面具有一定优势，为超导材料的研究和应用开辟了新的道路。

MgB?属于六方晶系，空间群为P6/mmm，其晶体结构由硼原子组成的蜂窝状平面层和镁原子层交替堆叠而成。在超导特性方面，MgB?具有双超导能隙，分别为Δ?≈2.3meV和Δ?≈7meV，这种双能隙特性使其超导机制与传统超导材料有所不同。其超导转变温度约为39K，在超导材料中处于相对较高的水平，这使得在实际应用中更容易实现和维持超导态。临界磁场方面，MgB?的上临界磁场Hc?在低温下可达到数十特斯拉，展现出较好的磁场耐受性。然而，MgB?在应用中也存在明显的限制。其磁通钉扎能力较弱，导致在磁场中临界电流密度Jc衰减较快。当外加磁场增加时，磁通线容易在材料内部移动，从而产生能量损耗，使得Jc迅速下降，这严重制约了MgB?在高场强、大电流应用场景中的使用，如在超导电机、超导电缆等领域的应用受到了很大阻碍。

1.3石墨烯与金属掺杂研究现状

在MgB?超导材料的性能优化研究中，石墨烯掺杂展现出独特的效果。石墨烯具有优异的电学性能，其载流子迁移率极高，可达200000cm2/（V?s）以上，这使得它在与MgB?复合后，有可能改善MgB?的电子传输特性。有研究表明，少量石墨烯掺杂能够显著提升MgB?的临界电流密度Jc。通过在MgB?中添加适量的石墨烯，形成的复合材料在磁场下的Jc值相较于未掺杂的MgB?有明显提高。这主要是因为石墨烯的二维结构可以作为有效的磁通钉扎中心，增强对磁通线的束缚能力，抑制磁通线的移动，从而提高Jc。同时，石墨烯的高导电性也有助于电子在MgB?中的传输，降低电阻，进一步提升超导性能。但石墨烯掺杂量过高时，会导致MgB?的超导转变温度Tc出现一定程度的下降，这可能是由于过多的石墨烯破坏了MgB?的晶体结构，影响了电子配对，从而对超导特性产生负面影响。

金属掺杂对MgB?性能的影响也受到了广泛关注。不同金属元素的掺杂会对MgB?的晶体结构、电子结构和超导性能产生不同的影响。当SiC纳米颗粒掺杂到Mg