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材料强度学细晶强化;材料强度：

表征材料承载能力的力学性能指标。是材料对变形和断裂的抗力。;强度;钢和黄铜的强度－硬度关系（选自美国MetalHandbook第九版第一卷）;强度：;Graphite;研究材料变形与断裂行为及其与应力、环境等外部因素的关系，探明变形与断裂行为的微观机制，并建立变形与断裂定量理论。;强度;点缺陷;位错的运动与晶体塑性;埃贡·欧罗万（EgonOrowan）;剪切应力的存在是塑性变形得以发生的最基本因素。;刃型位错;攀移;面缺陷：二维尺寸;晶界：两个空间位向不同的相邻晶粒之间的界面。(是单晶体区别与多晶体的主要特征)

晶界的特性：

晶界原子排列混乱、缺陷和杂质原子多、能量高；

晶界上原子扩散速度较快；

晶界对位错运动有阻碍作用；

晶界易产生氧化、局部熔化和腐蚀等；

晶界的原子混乱排列和高能量有利于固态相变的形核。

;晶界分类：

大角度晶界：

晶粒位向差大于10度的晶界。其结构为几个原子范围内的原子的混乱排列，可视为一个过渡区。;小角度晶界：

晶粒位向差小于10度的晶界。其结构为位错列，又分为对称倾侧晶界和扭转晶界。;亚晶界：

位向差小于1度的亚晶粒之间的边界。为位错结构。

晶粒的平均直径通常在0.015—0.25mm范围内，而亚晶粒的平均直径则通常为0.001mm的范围内;孪晶界：

两块相邻孪晶的共晶面。分为共格孪晶界和非共格孪晶界。;晶粒之间变形的传播过程：

位错在晶界塞积;

应力集中;

相邻晶粒位错源开动;

相邻晶粒变形;

宏观塑性变形。

;多晶体塑性变形总是一批一批晶粒逐步地发生，从少量晶粒开始逐步扩大到大量的晶粒，从不均匀变形逐步发展到比较均匀的变形。;晶粒之间变形的协调性

原因：各晶粒之间变形具有非同时性。

要求：各晶粒之间变形相互协调。（独立变形会导致

晶体分裂）

条件：独立滑移系?5个。（保证晶粒形状的自由变化）;晶粒大小与性能的关系：

晶粒越细，强度越高(细晶强化：Hall-Petch公式可知)

?s=?0+kd-1/2;此外，晶粒越细，应力集中小，裂纹不易萌生；晶界多，裂纹不易传播，在断裂过程中可吸收较多能量,表现出高韧性。

故细化晶粒是同时提???材料强度、塑性和韧性的有效手段（高温性能除外），受到广泛重视。;Hall－Petch公式的位错模型

?s=?0+kd-1/2;位错塞积模型

基本思路：晶界位错塞积－应力集中－达到某临界值－相邻晶粒屈服－相邻晶粒位错源开动－滑移从一个晶粒传播到另一个晶粒。;该集中应力（即S）达到

使滑移位错对钉扎的原子气团解钉的临界应力SSC时，晶体将发生屈服；

使相邻晶粒内的位错源开动的临界应力SfC时，晶体将发生塑性流变；

使邻近某处的微裂纹开始扩展的临界应力SCC时，晶体将发生解理断裂；

微孔聚合的临界应力SbC时，晶体将发生塑性断裂。

;晶界位错模型

基本思路：晶界上存在台阶或坎－故晶界本身也可以作为位错源－位错移出晶界必须通过坎位错林－所需的应力取决于坎的密度（随晶粒尺寸减小而增）。

可解释纯金属中不存在位错塞积而符合Hall-Petch公式的情况。;ρ,位错密度

L,是屈服时单位晶界面积上发出的位错的总长度

S,晶粒表面积

V,晶粒体积;位错强化增量公式;增加形核率,N

减低晶粒生长速度,G;变质处理(Inoculeation)

在浇注前往液态金属中加入形核剂，促进形成大量的非均匀形核来细化晶粒。

此法用于大型铸件。;等通道转角挤压（ECAP）;高压扭转变形（HPT--Highpressuretorsion）;累积叠轧（ARB--Accumulativeroll-bonding）;动态塑性变形（DPD—DynamicPlasticDeformation）;动态再结晶控轧（DRCR--Dynamicrecrystallizationrolling/extrusion）

应变诱导铁素体相变（DIFT--Deformationinducedtransformation）;RevealingtheMaximumStrengthinNanotwinnedCopper

L.Lu.Science30January2009:

Vol.323no.5914pp.607-610;StrengtheningMaterialsbyEngineeringCoherentInternalBoundariesattheNanoscale

K.LuScience17April2009:

Vol.324no.5925pp.349-352;RevealingtheMaximum