氧化锌纳米薄膜的制备工艺与掺杂特性研究.docx

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2025-09-29 发布于上海
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氧化锌纳米薄膜的制备工艺与掺杂特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广袤领域中，氧化锌（ZnO）纳米薄膜凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位，成为了科研人员深入探索和研究的焦点。

氧化锌是一种宽带隙半导体材料，在室温下拥有高达3.37eV的禁带宽度以及60meV的激子束缚能。这种特殊的能带结构赋予了氧化锌一系列优异的特性。其较宽的禁带宽度使得它对短波长光具有良好的响应能力，在紫外光电器件领域展现出巨大的应用潜力，如可用于制造高性能的紫外发光二极管（UV-LED）和高灵敏度的紫外探测器。高激子束缚能则保证了在室温条件下激子的稳定性，能够实现高效