场效应管及其基本放大电路.pptxVIP

第4章场效应管及其

基本放大电路

输入阻抗高抗干扰能力强功耗小01分类：结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管IGFET又称为MOSFETN沟道场效应管P沟道场效应管02场效应管的优点4.1引言

标题014.2.1绝缘栅场效应管02种类：04耗尽型（沟道从有到无）NP03增强型（沟道从无到有）NP4.2场效应管

1.结构一、N沟道增强型MOS管

N沟道增强型MOS管的符号如上图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。N沟道增强型MOS管的符号

N沟道增强型MOS管的工作原理分两个方面进行讨论：一是栅源电压UGS对沟道产生的影响，从而对漏极电流ID产生影响；二是漏源电压UDS对沟道产生影响，从而对漏极电流ID产生影响。

令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。栅源电压的控制作用栅源电压UGS的控制作用在栅极下的表层感生一定的电子电荷，从而在漏源之间可形成导电沟道，即反型层。UGS带给栅极正电荷，将正对SiO2层表面下衬底中的空穴推走，从而形成负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。反型层

反型层形成后，此时若加上UDS，就会有漏极电流ID产生。01当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS，也不能形成ID。当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。02显然改变UGS就会改变沟道，从而影响ID，这说明UGS对ID的控制作用。03

设UGS＞UGS(th)，增加UDS，此时沟道的变化如下。漏源电压也会对沟道产生影响，因为源极和衬底相连接，所以加入UDS后，UDS将从漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底间反偏最大，PN结的宽度最大。所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个楔形的PN结区，从而影响沟道的导电性。漏源电压的控制作用2.漏源电压UDS的控制作用

当UDS进一步增加时，ID会不断增加，同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为预夹断。预夹断当UDS进一步增加时，漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在预夹断区。漏源电压的控制作OV2GS=UV3+V5.3+V4+DimA/15105uDS/V恒流区.3.特性曲线（1）输出特性曲线当UGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，反映UDS对ID的影响，即iD=f(uDS)?UGS=const这一关系曲线称为漏极输出特性曲线。曲线分五个区域：（1）可变电阻区（2）恒流区（放大区）（3）截止区（4）击穿区（5）过损耗区可变电阻区截止区击穿区过损耗区

（2）转移特性曲线转移特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm称为跨导。单位mS（mA/V）OGSu4321/VDimA/4321UGS(th)10VDS=U

OV2GS=UV3+V5.3+V4+DimA/15105uDS/V恒流区.从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线，过程如下：OuGS4321/VDimA/4321UGS(th)

N沟道耗尽型管的结构和符号01SiO2中掺入正离子符号：沟道连续工作原理：导电沟道存在沟道被削弱当时，沟道消失沟道被增强02二、N沟道耗尽型MOSFET

N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线如右上图所示。耗尽型场效应管的转移特性曲线也可以用下式表示夹断电压IDSS当UGS=0时，对应的漏极饱和电流用IDSS表示。当UGS＞0时，将使ID进一步增加。UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。耗尽型管的特性转移特性

三、P沟道MOS管NP+P+P沟道MOS管的结构与N沟道MOS管相同，只不过半导体的极性相反，电源电压、偏置电压的极性也相反。漏极电流的方向相反，夹断电压和开启电压的极性也相反。衬底由P型改为N型；漏、源两个电极的搀杂由N+改为P+。P沟道MOSFET的结构增强型耗尽型

01场效应三极管有二种结构形式：绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)----增强型耗尽型结型场效应晶体管(JFET)------只有耗尽型02034.2.2结型场效应管

03N沟道02PN结01JFET的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。1.结型场效应晶体管的结构

2.结型场效应管的工作原理（1）栅源电压对沟道的控制作用场效应管是一种电压控制电流源器件，它的漏极电流受栅源电压UGS和漏源电