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晶体管性能测试题及答案
一、单选题（每题1分，共10分）
1.晶体管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置情况是（）（1分）
A.发射结反偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏
【答案】C
【解析】晶体管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。
2.晶体管的电流放大系数β是指（）（1分）
A.集电极电流与基极电流之比
B.基极电流与集电极电流之比
C.发射极电流与基极电流之比
D.发射极电流与集电极电流之比
【答案】A
【解析】电流放大系数β定义为集电极电流与基极电流之比，即β=IC/IB。
3.晶体管处于饱和状态时，其集电极电流（）（1分）
A.最大
B.最小
C.零
D.无法确定
【答案】A
【解析】晶体管饱和时，集电极电流接近电源电压，达到最大值。
4.晶体管处于截止状态时，其集电极电流（）（1分）
A.最大
B.最小
C.零
D.无法确定
【答案】C
【解析】晶体管截止时，集电极电流接近零。
5.晶体管的输入电阻是指（）（1分）
A.基极与发射极之间的电阻
B.集电极与发射极之间的电阻
C.基极与集电极之间的电阻
D.输入信号源与基极之间的电阻
【答案】D
【解析】输入电阻是指输入信号源与基极之间的电阻，反映输入信号在基极的衰减程度。
6.晶体管的输出电阻是指（）（1分）
A.基极与发射极之间的电阻
B.集电极与发射极之间的电阻
C.基极与集电极之间的电阻
D.输出负载与集电极之间的电阻
【答案】D
【解析】输出电阻是指输出负载与集电极之间的电阻，反映晶体管对负载变化的适应能力。
7.晶体管的频率响应特性主要由（）（1分）
A.基极电流的变化率决定
B.集电极电流的变化率决定
C.跨导和极间电容决定
D.电流放大系数决定
【答案】C
【解析】频率响应特性主要由跨导和极间电容决定，这些参数影响晶体管在高频下的性能。
8.晶体管的极间电容包括（）（1分）
A.发射结电容
B.集电结电容
C.发射结和集电结电容
D.基极电容
【答案】C
【解析】极间电容包括发射结电容和集电结电容，这些电容影响晶体管的高频特性。
9.晶体管的热稳定性主要由（）（1分）
A.电流放大系数的温度系数决定
B.集电极电流的温度系数决定
C.发射极电流的温度系数决定
D.集电极-基极电压的温度系数决定
【答案】B
【解析】热稳定性主要由集电极电流的温度系数决定，该参数影响晶体管在不同温度下的性能。
10.晶体管的噪声系数是指（）（1分）
A.输入信号与输出信号功率之比
B.输出信号噪声与输入信号噪声之比
C.输入信号噪声与输出信号噪声之比
D.输出信号功率与输入信号功率之比
【答案】C
【解析】噪声系数是指输入信号噪声与输出信号噪声之比，反映晶体管对噪声的放大程度。
二、多选题（每题4分，共20分）
1.晶体管的工作状态包括（）（4分）
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.击穿状态
E.稳定状态
【答案】A、B、C
【解析】晶体管的工作状态包括放大状态、饱和状态和截止状态，击穿状态是异常状态，稳定状态不是晶体管的工作状态。
2.晶体管的性能参数包括（）（4分）
A.电流放大系数
B.输入电阻
C.输出电阻
D.频率响应特性
E.热稳定性
【答案】A、B、C、D、E
【解析】晶体管的性能参数包括电流放大系数、输入电阻、输出电阻、频率响应特性和热稳定性。
3.晶体管的偏置电路包括（）（4分）
A.共发射极偏置
B.共基极偏置
C.共集电极偏置
D.自举偏置
E.基极偏置
【答案】A、B、C
【解析】晶体管的偏置电路包括共发射极偏置、共基极偏置和共集电极偏置，自举偏置和基极偏置不是独立的偏置电路类型。
4.晶体管的频率特性包括（）（4分）
A.低频特性
B.中频特性
C.高频特性
D.极低频特性
E.极高频特性
【答案】A、B、C
【解析】晶体管的频率特性包括低频特性、中频特性和高频特性，极低频特性和极高频特性不是晶体管的典型频率特性范围。
5.晶体管的噪声特性包括（）（4分）
A.噪声系数
B.噪声温度
C.噪声谱密度
D.等效噪声源
E.噪声带宽
【答案】A、B、C、D、E
【解析】晶体管的噪声特性包括噪声系数、噪声温度、噪声谱密度、等效噪声源和噪声带宽。
三、填空题（每题2分，共16分）
1.晶体管的工作状态包括______、______和______。（4分）
【答案】放大状态；饱和状态；截止状态
2.晶体管的输入电阻是指______与______之间的电阻。（4分）
【答案】输入信号源；基极
3.晶体管的输出电阻是指______与______之间的电阻。（4分）
【答案】输出负载；集电极
4.晶体管的频率响应特性主要由______和______决定。（4分）
【答案】跨导；极间
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