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高金属氧化物金属薄膜晶体管在交流应力下的可靠性及机制研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代微电子领域，薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为构建各类电子器件的基础元件，发挥着至关重要的作用。它广泛应用于液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED）、传感器以及众多新兴的柔性电子设备中，是实现高分辨率、高对比度显示和高性能信号处理的核心部件。随着科技的飞速发展，电子设备不断朝着小型化、高性能、多功能的方向迈进，对TFT的性能和可靠性提出了越来越高的要求。

在实际应用中，TFT常常会受到各种复杂的工作条件和外部应力的影响，其中交流应力是一种常见且对器件性能有着显著影响的因素。交流应力下，TFT会承受周期性变化的电压和电流，这会导致器件内部产生一系列复杂的物理过程，如载流子的注入与抽取、界面态的形成与变化、陷阱电荷的积累与释放等，这些过程会引起器件的阈值电压漂移、迁移率下降、亚阈值摆幅增大等性能退化现象，严重影响器件的稳定性和可靠性。尤其是在一些高频、高速切换的电路应用中，如显示器的驱动电路、高速数据传输接口等，TFT频繁地在不同的电压状态之间切换，交流应力对其性能的影响更为突出，甚至可能导致整个电路系统的故障。

对于新兴的EMMOTFT（Elevated-MetalMetal-OxideThin-FilmTransistors）而言，交流应力下的可靠性研究具有更为关键的意义。EMMOTFT作为一种新型的薄膜晶体管，通过独特的结构设计和材料选择，展现出了一些优异的电学性能，如较高的迁移率、较低的阈值电压、良好的开关特性等，在下一代高性能显示和柔性电子应用中具有巨大的潜力。然而，目前关于EMMOTFT在交流应力下的可靠性研究还相对较少，其在复杂交流应力环境下的性能演变规律和退化机制尚不明确。深入开展EMMOTFT在交流应力下的可靠性研究，不仅有助于全面了解这种新型器件的性能特点和局限性，为其进一步的优化设计提供理论依据，还能够为其在实际应用中的可靠性评估和寿命预测提供技术支持，推动其在微电子领域的广泛应用和产业化发展。

1.2国内外研究现状

1.2.1TFT概述

TFT是一种利用半导体薄膜材料制成的场效应晶体管，它主要由导电电极（包括栅电极、源电极和漏电极）、介电层（绝缘层）和沟道层（有源层）等部分组成。其基本工作原理基于场效应，即通过在栅电极上施加电压，形成电场来控制源极和漏极之间沟道层中载流子的流动，从而实现对电流的开关和调节作用。当栅极电压达到一定阈值时，沟道层中会形成导电沟道，使得源极和漏极之间能够导通电流；而当栅极电压低于阈值时，沟道关闭，电流无法通过。

TFT的结构形式多种多样，常见的有底栅结构和顶栅结构。在底栅结构中，栅电极位于最底层，上面依次是栅绝缘层、有源层、源漏电极；顶栅结构则相反，源漏电极位于底层，有源层之上是栅绝缘层和栅电极。不同的结构设计会对TFT的性能产生影响，如底栅结构通常具有较好的工艺兼容性和稳定性，而顶栅结构则在一些高性能应用中能够展现出更好的电学性能。

由于具有独特的性能优势，TFT在众多电子器件中得到了广泛应用。在显示领域，TFT是液晶显示器和有机发光二极管显示器的关键驱动元件，用于控制每个像素点的亮度和颜色，实现高质量的图像显示。通过TFT阵列的精确控制，可以实现高分辨率、高对比度、快速响应的显示效果，满足人们对视觉体验的不断追求。在传感器领域，TFT可用于制作各类传感器，如压力传感器、气体传感器、生物传感器等。利用TFT对物理量或化学量变化的敏感特性，将被测量转换为电信号输出，实现对各种参数的精确检测和监测。TFT还在集成电路、射频电路等领域有着重要应用，为实现电子设备的小型化、多功能化和高性能化提供了有力支持。

1.2.2传统a-IGZOTFT的研究现状分析

非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）TFT作为一种典型的氧化物TFT，近年来在学术界和工业界都受到了广泛的关注和研究。其具有较高的电子迁移率，一般可达到10-30cm2/V?s，这使得它在驱动高分辨率显示面板时能够实现更快的信号传输和响应速度，有效减少图像的拖影和模糊现象。a-IGZOTFT还具有较好的均匀性和稳定性，能够在较大面积的基板上制备出性能一致的器件，适用于大尺寸显示面板的制造。此外，a-IGZO材料的制备工艺相对简单，成本较低，具有良好的产业化应用前景。

在交流应力下，a-IGZOTFT的研究取得了一定的进展。研究发现，在栅脉冲应力作用下，a-IGZOTFT的阈值电压会发生正向漂移，这主要是由于栅极电压的周期性变化导致载流子注入到有源层与栅绝缘层的界面处，形成界面态和陷阱电荷，从而改变了