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ApplicationNote
SiCMOSFET
栅极驱动电路的基础和设计指南
SiCMOSFET可作为开关器件用于各种开关电源中，因为其导通状态可通过在栅极和源极之间施加一定电压来控制。除了降低
传导损耗外，开关器件还必须降低开关损耗并将EMC噪声降至最低，而这可以通过设计在栅极和源极之间施加电压的方法来实现。
为了考虑如何充分发挥SiCMOSFET的潜力，首先有必要了解在栅极和源极之间施加电压时发生的基本动作（状态转换）。本
ApplicationNote总结了SiCMOSFET在栅极和源极之间施加电压时发生的状态转换，旨在为设计能充分发挥其性能的栅极驱
动电路提供指导。
目录
1.关于SiCMOSFET2
从近年来关于开关器件的需求和功率器件的适用范围，来说明SiCMOSFET的重要性。
另外，还提到SiCMOSFET的结构和电容特性，并对栅极的输入电容充电的动作做了说明。
2.栅极驱动相关的问题4
本节介绍SiCMOSFET开关时，产生的损耗，漏极-源极电压浪涌和自导通等情况。
3.栅极驱动器的作用8
本节介绍栅极驱动器的功能，如驱动电压生成和隔离保护功能。
4.栅极驱动电路设计指南9
本节介绍发挥SiCMOSFET特性的栅极驱动器IC选择策略，以及如何计算功耗。
5.栅极驱动电路的实际案例14
本节介绍使用ROHM器件进行栅极驱动电路设计的具体案例。
6.总结17
©2023ROHMCo.,Ltd.No.66AN048CRev.001
1/172023.11
栅极驱动电路的基础和设计指南ApplicationNote
1.关于SiCMOSFET
1.1SiCMOSFET的重要性
近年来，车辆和我们周围各种物体的电气化进程日新月异，
如何更有效地控制电能已成为一项技术挑战。功率控制一般涉
及改变功率的形式，例如通过接通和断开电流调整从电源向负
载提供的功率大小，或将直流电转换为交流电。图1显示了
开关频率和负载电容的适用范围。
近年来，节能和设备小型化的需求日益增长。通过将开关
频率提高到更高的频率，可以使电感器和电容器等无源元件的图2-(a).平面型构造图2-(b).沟槽型构造
体积更小。频率越高，开关损耗越大。具有良好开关特性的
・平面型构造
SiCMOSFET具有最广泛的应用范围，在实现高频和节能方面
正变得越来越重要和负载能力的适用范围。如图2-(a)所示，栅极是在晶圆表面形成的。因此，由于通
道横向形成，单个单元尺寸就会变大。
・沟槽型构造
如图2-(b)所示，沟槽结构是从晶圆表面向漏极方向挖沟槽，
并嵌入栅极电极。在这种结构中，沟槽是垂直形成的，从而实
现了单元的微型化。因此，可以比平面结构排列更多的单元格，
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