第11讲半导体二极管.pptVIP

第1页，共25页，星期日，2025年，2月5日.本章要求.1.理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；2.了解二极管、稳压管和三极管的工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；3.会分析二极管和三极管的电路。第2页，共25页，星期日，2025年，2月5日单晶硅(Si)的原子结构平面示意图SiSiSiSiSiSiSiSiSi共价键价电子1.常用的半导体材料JonsJakobBerzelius-瑞典,1823、C1emensAlexanderWinkler-德国，1886硅Si(Silicon)和锗Ge(Germanium)均为四价元素，原子最外层有4个价电子。2.本征半导体定义：高度纯净、具有完整晶格的半导体称为本征半导体。一、半导体的基本知识第3页，共25页，星期日，2025年，2月5日3.本征半导体的物理性能SiSiSiSiSiSiSiSiSi温度(T)一定时，载流子数量一定。当t↑时，载流子数量↑。价电子依次填补空穴，形成电子电流和空穴电流。在室温下受热激发时，产生电子空穴对；在绝对零度(T=0K)时不导电，相当于绝缘体；半导体中有两种载流子：自由电子和空穴，这就是半导体导电的重要物质基础。自由电子空穴半导体的导电性能受温度影响很大。第4页，共25页，星期日，2025年，2月5日4.半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。3)掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种半导体器件：如二极管、三极管和晶闸管等）。2)光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件：光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。1)热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强第5页，共25页，星期日，2025年，2月5日SiSiSiSiSiSiSiSiSi共价键5.掺杂(杂质)半导体掺入微量的五价元素：磷P(或锑)1)N型半导体:多数载流子为电子，少数载流子为空穴。在室温下就可以激发成自由电子第6页，共25页，星期日，2025年，2月5日SiSiSiSiSiSiSiSiSi共价键掺入微量的三价元素：硼B(或铝)2)P型半导体:受主原子空位吸引邻近原子的价电子填充。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。第7页，共25页，星期日，2025年，2月5日6.小结：1)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。2)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。3)杂质半导体中，杂质浓度决定多子的数量，环境温度决定少子的数量。提示：N型、P型掺杂半导体，对外均呈电中性。第8页，共25页，星期日，2025年，2月5日7.PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动多子浓度差异P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变窄。扩散越强，空间电荷区越宽。最后扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，便形成稳定的空间电荷区，即PN结。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空间电荷区第9页，共25页，星期日，2025年，2月5日8.PN结的单向导电性1)PN结加正向电压（正向偏置）PN结变窄P接正极、N接负极外电场IF内电场被削弱，多子的扩散加强，最后形成较大的扩散电流IF。PN结外加正向电压时，PN结变窄，有较大的正向扩散电流，PN结呈现低阻性，即PN结外加正向电压导通。内电场PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–第10页，共25页，星期日，2025年，2月5日2)PN结加反向电压（反向偏置）外电场P接负极、N接正极内电场PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+第11页，共25页，星期日，2025年，2月5日PN结变宽外电场内电场被加强，少子的漂移加强，由于