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维普资讯
在弧光离子渗碳过程中,扩散系数的变化与渗碳
5结论
层中缺陷密度的变化密切相关。扩散系数是缺陷密度
的函数靠近试样表面区域,由于高能碳离子的(1)用石墨阴极电弧源进行离子渗碳,具有渗逮极
轰击使点阵结构极度无序,产生大量的空位及其它缺快、渗层均匀、设备简单等优点。
陷,所使得扩散系数显著增加。(2)弧光离子渗碳时.碳的扩散系数不仅与表面碳
4.3到达试样表面碳离子的能量浓度有关,且与离子轰击形成的缺陷密度有关。离子
试样表层的缺陷密度与碳离子的轰击能量有着密密度越高.轰击能量越高,试样表面产生的晶体缺陷
切关系。从石墨阴极电弧发出的碳粒子藏中.有70%密度就越大,试样表层内碳的扩散系数也必然增大。
被电离,离子能量为30--40eV。,该能量远大于辉(3)弧光离子渗碳速度极快的主要原因是高能粒子
光离子渗碳时的能量,造成弧光离子渗碳速度极轰击作用下.试样表面产生高密度的晶体缺陷所致。
4.4高能碳离子的作用参考文献
在高能碳离子的轰击下,试样表面产生大量空位1Edward_J等著,宣天鹏译发晨中的誊碳拉术国外金属热
并向试样内部迁移形成空位流同时由于高能碳离子处理.1991,I1)t3
的轰击,使表面的点阵结构极度无序.使高能碳粒子2张石权多弧商子沉积技术综述.真空.1988(1):7
3王国左等钢的化学热处理.北京中国铁道出版杜
有嵌入基体晶格中的可能,理论计算证实,由于点阵
198040~50
缺陷的大量存在,碳的扩散速度太大加快了。
4马欣新等离子渗碱时碳渗^的表现过程.材料科学与进展
此外,离子轰击会使试样表面产生应力层,该应力.1991.5(1):40
层是使表面层与基体分界面上产生位错的原因。5DA被特等著,李长梅等译合金和台金中的相变北京:
同时,真空中由于像力作用,基体内部的位错向表面冶金工业出版社.I988.101
迁移,像力与表面应力场平衡时.位错处于相对平衡6JM.拉弗蒂主编.程积高译真空电弧理论和应用.北京:
的位置,在表面形成一个高密度位错区。该区原子位机械工业出版杜,1985139.I80
移的几率增大,点缺陷产生的逮度加快。这样,7LiChengjnalDifft~ionMocha~lismoflon
BombordmcntSurfaceEngineeringI987,3(41:310
在试样表面由于高能粒子的轰击形成一个高密度的晶
8巴巴特A.A.等著,何太智译辐射受激化学热处理北京:
体缺陷的区域,有利于碳原子的快速扩散。
国防工业出腹杜,198863
由于上述原因的共同作用,所以弧光离子渗碳工
9LevyVetalPh
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